[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场，来控制液晶分子的转动，达到所要显示画面的效果。像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管，简称薄膜晶体管)的开启电流I_on决定的，理论上式中μ为载流子迁移率，C_i为单位面积的平行板电容，W为沟道宽度，L为沟道长度，V_G为栅极电压，V_th为阈值电压。

在现有技术中，发明人发现由于工艺能力的限制，沟道长度很难减小，提高I_on的方法，主要是增大沟道宽度，但是沟道宽度的增加，势必会增加寄生电容，从而增加负载；并且会减少开口率；而且现有技术主要是通过一次曝光的方式同时形成薄膜晶体管的源极和漏极，由于工艺制程能力的限制，源极和漏极之间的距离很难做到较小的值，因此沟道长度的减小也比较困难。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，通过两次曝光分别形成薄膜晶体管的源极和漏极，可以实现沟道长度减小，达到提高薄膜晶体管充电能力的目的。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间的有源层上形成有第一沟道，

所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。

一方面，提供一种阵列基板，包括上述的任一薄膜晶体管。

一方面、提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

一方面，提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括在基板上形成栅极，在所述栅极上方形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成有源层，还包括：

制作覆盖所述有源层的第一导电材料层，通过一次构图工艺形成漏极或源极；

制作第二导电材料层，通过一次构图工艺形成对应所述漏极的源极或对应所述源极的漏极；

在所述源极和漏极上方形成保护层。

本发明的实施例提供的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，通过两次曝光分别形成薄膜晶体管的源极和漏极，可以实现沟道长度减小，达到提高薄膜晶体管充电能力的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图；

图7为本发明实施例提供的再一种阵列基板结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管制造方法的流程示意图；

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程示意图；

图9a～9e为本发明实施例提供的按照如图8所示流程制作的阵列基板制造过程中的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板制造方法的流程示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板制造方法的流程示意图。

附图标记：

1-栅极，2-栅绝缘层，3-有源层，4-源极，5-漏极，6像素电极，7-第一沟道，8-保护层，9-辅助漏极，10-公共电极，11-第二沟道。

具体实施方式