[发明专利]有机发光装置及该有机发光装置的制造方法在审
申请号: | 201210183867.6 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103151466A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 金南珍;朴彻桓 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置及制造该有机发光装置的方法,更具体地说,涉及一种反射层形成在像素限定层上从而防止在形成发光层的过程中产生未转印缺陷的有机发光装置及制造该有机发光装置的方法。
背景技术
近年来,在显示技术领域中,有机发光装置受到关注。这种有机发光装置是一种电子和空穴复合时产生光并在发光的同时电子和空穴消散的装置。
有机发光装置主要包括用于注入空穴的电极、用于注入电子的电极和发光层,所述装置具有发光层被置于阳极和阴极之间的叠层结构,其中,阳极是用于注入空穴的电极,阴极是用于注入电子的电极。具体地说,在有机发光装置的电极中,电子被注入在阴极中,空穴被注入在阳极中,这些电荷在外部电场的作用下沿反向相互运动,然后在发光层中复合,从而在发光的同时这些电荷消散。有机发光装置的发光层由单分子有机材料或聚合物形成。
有机发光装置通常包括用于覆盖阳极边缘的像素限定层(PDL)。此外,有机薄膜中的发光层形成在像素限定层的部分区域中。
图案化发光层的方法包括使用用于低分子有机发光装置的阴影掩模的方法以及用于聚合物有机发光装置的喷墨印刷或激光感应热成像(LITI)。
为了利用LITI形成发光层,首先在基底上层叠包括有机层的供体膜。然后,当激光照射到供体膜的预定部分时,图案化的发光层可位于基底上。即,激光照射到的部分和激光未照射到的部分之间的结合部(combination)在供体膜的有机层中是不连续的,从而可以形成发光层的图案。
然而,在供体膜与像素部分对齐的状态下通过照射激光来执行转印时,可能产生开口边缘缺陷,即,由于在已经用激光照射的部分和未用激光照射的部分之间连续施加力,导致边缘部分中的一部分可能未被转印。
因此,需要一种能够防止当通过LITI图案化发光层时由于阳极的端部和发光层之间无法适当接触而产生的开口边缘缺陷的技术。
发明内容
已经开发本发明以解决上面提到的出现在现有技术中的问题,本发明的一方面提供了一种具有提高的耐久性的有机发光装置及制造该有机发光装置的方法,该有机发光装置及其制造方法在形成发光层的过程中防止了未转印缺陷的产生。
根据本发明的示例性实施例,提供了一种有机发光装置,该有机发光装置包括:基体;第一电极,图案化并形成在基体上;发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在发光层上,其中,像素限定层形成在图案化的第一电极之间,反射层设置于像素限定层处。
发光层由单体有机材料或聚合物有机材料形成。
根据本发明的示例性实施例,反射层形成在像素限定层上并与像素限定层叠置,反射层的面积为像素限定层的上部的面积的50%到100%。
根据本发明的示例性实施例,所述反射层形成在像素限定层的内侧上,更具体地说,形成在基体上。在示例性实施例中,描述了反射层与基体直接接触的情况,但是可以在反射层和基体之间设置第三层。
此外,反射层的面积为像素限定层的下部的面积的50%到90%,反射层的外侧部分被像素限定层覆盖。
根据本发明的示例性实施例,有机发光装置还包括位于发光层和第一电极之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
根据本发明的另一示例性实施例,有机发光装置还包括位于发光层和第二电极之间的电子注入层和电子传输层中的至少一个。
根据本发明的示例性实施例,第一电极可以是像素电极。此外,第二电极可以是共电极。在这种情况下,第二电极形成在像素限定层和反射层的上部以及发光层的上部上方。
根据本发明的示例性实施例,第一电极为阳极,第二电极为阴极。具有比第一电极的电压低的电压的终端可以是第二电极。即,第二电极为阴极。
根据本发明的示例性实施例,反射层包括金属层。所述金属层包括钼(Mo)层、金(Au)层、银(Ag)层、铬(Cr)层、钛(Ti)层、镱(Yb)层、铜(Cu)层和铝(Al)层中的至少一个。
根据本发明的示例性实施例,反射层以网、线和梳子状中的任意一种形式形成。
根据本发明的示例性实施例,基体可包括基底、薄膜晶体管(TFT)层和平坦的绝缘层。此外,基体可仅包括基底。
此外,本发明提供了一种制造所述有机发光装置的方法。
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