[发明专利]有机发光装置及该有机发光装置的制造方法在审
申请号: | 201210183867.6 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103151466A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 金南珍;朴彻桓 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括;
基体;
第一电极,图案化并形成在基体上;
发光层,形成在第一电极上;
第二电极,形成在发光层上;
其中,像素限定层形成在图案化的第一电极之间,反射层设置于像素限定层处。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层形成在像素限定层上并与像素限定层叠置。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层形成在像素限定层下方并与像素限定层叠置。
4.如权利要求3中所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层形成在基体上。
5.如权利要求3中所述的有机发光装置,其中,每个所述像素限定层具有透光性。
6.如权利要求3所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层的面积为像素限定层中的一个的下部的面积的50%到90%,每个所述像素限定层覆盖反射层中的一个的外侧部分。
7.如权利要求2中所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层的面积为像素限定层中的一个的上部的面积的50%到100%。
8.如权利要求1所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括置于发光层中的一个和第一电极中的一个之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
9.如权利要求1中所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括置于发光层中的一个和第二电极之间的电子注入层和电子传输层中的至少一个。
10.如权利要求1中所述的有机发光装置,其中,第一电极为像素电极。
11.如权利要求1中所述的有机发光装置,其中,第一电极为阳极,第二电极为阴极。
12.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,每个所述反射层包括金属层。
13.如权利要求13所述的有机发光装置,其中,所述至少一个绝缘层具有透光性。
14.如权利要求1所述的有机发光层,其中,反射层以网、线和梳子状中的任意一种形式形成。
15.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,基体包括基底、薄膜晶体管层和平坦的绝缘层。
16.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,基体包括基底。
17.一种制造有机发光装置的方法,所述方法包括下述步骤:
准备基体;
在基体上形成第一电极的图案;
在第一电极之间形成像素限定层,使得第一电极以像素为单位进行划分;
在发光层上形成第二电极;
其中,所述方法还包括在与执行形成像素限定层的步骤的时刻不同的时刻形成反射层的步骤。
18.如权利要求19所述的方法,其中,在执行形成像素限定层的步骤之后执行形成反射层的步骤,反射层形成在像素限定层上。
19.如权利要求19所述的方法,其中,在执行形成像素限定层的步骤之前执行形成反射层的步骤,像素限定层形成在反射层上。
20.如权利要求19所述的方法,所述方法还包括在执行形成像素限定层的步骤之后且在执行形成发光层的步骤之前的形成空穴注入层的步骤和形成空穴传输层的步骤中的至少一步。
21.如权利要求19所述的方法,所述方法还包括在执行形成发光层的步骤之后且在执行形成第二电极的步骤之前的形成电子注入层的步骤和形成电子传输层的步骤中的至少一步。
22.如权利要求19所述的方法,其中,与形成第一电极的图案的步骤同时地执行形成反射层的步骤。
23.如权利要求19所述的方法,其中,形成反射层的步骤包括形成金属层的步骤。
24.如权利要求25所述的方法,其中,所述金属层包括钼层、金层、银层、铬层、钛层、镱层、铜层和铝层中的至少一个。
25.如权利要求19所述的方法,其中,在形成反射层的步骤中,反射层以网、线和梳子状的任意一种形式形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210183867.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择