[发明专利]一种突变结晶硅太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210183417.7 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102694072A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪;龚洪勇;张东华;汪已琳;高江 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 突变 结晶 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1）突变结外延层的制备：晶硅电池有P-型片和N-型片两种，对于P-型硅片，需外延沉积N-型晶硅薄膜；对N-型片，需外延沉积P-型晶硅薄膜，以形成合适的PN结结构；
其中，在P-型硅衬底上低温外延N-型晶硅薄膜，采用如下工艺实现：
采用热丝CVD的方法，源气体流量比：SiH4:PH3＝1:0.001～1:0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1600℃～2000℃，衬底与热丝的距离控制为3～8cm，膜厚控制在10～300nm；或者采用等离子辅助CVD的方法，源气体流量比：SiH4:PH3＝1:0.001～1:0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～20Pa，衬底温度为150℃～300℃，射频源功率密度控制在0.1～2.0W/cm2，基板间距离控制在2～4cm，膜厚控制在10～300nm；
其中，在N-型硅衬底上低温外延P-型晶硅薄膜，采用如下工艺实现：
采用热丝CVD的方法，源气体流量比：SiH4:B2H6＝1:0.001～1:0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1600℃～2000℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm，膜厚控制在10～300nm；或者采用等离子辅助CVD的方法，源气体流量比：SiH4:B2H6＝1:0.001～1:0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～20Pa，衬底温度为150℃～300℃，射频源功率密度控制在0.1～2.0W/cm2，基板间距离控制在2～4cm，膜厚控制在10～300nm；
2） 对低温外延制备的突变结结构快速热退火改性的工艺如下：
采用N2或者Ar气进行保护进行退火，或者采用真空退火的方式，升温速率大于20℃/分钟，在800℃～1200℃保温10秒～200秒，随后快速降温，从而制得性能优良的突变结结构晶硅太阳电池。
2.如权利要求1所述的一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述稀释比的定义为：H2流量/（SiH4流量＋H2流量＋掺杂气体流量）。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学，未经南昌大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210183417.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
