[发明专利]光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统无效
| 申请号： | 201210181961.8 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102664186A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 川端康博;高田英明 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨小明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 使用 成像 系统 | ||
1.一种光电转换装置，包括：
基板；
布置在所述基板上的多个光电转换元件；和
布置在所述基板上的用于传送由光电转换元件产生的信号电荷的晶体管，其中，
所述多个光电转换元件包含第一光电转换元件、与第一光电转换元件相邻的第二光电转换元件、以及与第一光电转换元件相邻的第三光电转换元件，并且，
具有第一宽度的第一区域被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间，
具有比第一宽度窄的第二宽度的第二区域被布置在第一光电转换元件和第三光电转换元件之间，
具有第一导电类型以使得信号电荷是少数载流子并且具有第三宽度的第一半导体区域被布置在第一区域中，
具有第一导电类型并且具有比第三宽度窄的第四宽度的第二半导体区域被布置在第二区域中，并且，
具有比第一区域低的关于信号电荷的电势的第三区域被布置在第一区域中。
2.根据权利要求1的光电转换装置，其中，
具有第一导电类型并具有比第四宽度窄的第五宽度的第三半导体区域被布置在第三区域中。
3.根据权利要求1的光电转换装置，其中，
具有第一导电类型并且具有比第二半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度的第三半导体区域被布置在第三区域中。
4.根据权利要求1的光电转换装置，其中，
具有第一导电类型的第三半导体区域以比第二半导体区域的深度浅的深度被布置在第三区域中。
5.根据权利要求1的光电转换装置，其中，
具有第一导电类型、具有比第四宽度窄的第五宽度、并且具有比第二半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度的第三半导体区域被布置在第三区域中。
6.一种成像系统，包括：
根据权利要求1的光电转换装置；和
用于处理从所述光电转换装置输出的信号的信号处理电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
