[发明专利]一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法有效
申请号: | 201210177981.8 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102691071A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 刘润;刘丽英;王萍;徐铸德;许宜铭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C25B11/04 | 分类号: | C25B11/04;C25D9/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化钨 电极 制备 方法 | ||
1.一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)无定形氧化钨薄膜的制备:将0.0025~0.0100mol的Na2WO4溶于50mL的蒸馏水,加入0.25~1.00mL质量百分比浓度为30%的H2O2溶液,再加入30mL的异丙醇,搅拌1分钟得到含W2O72-溶液后用2mol/L的高氯酸或硝酸调节含W2O72-溶液PH值为1.10~1.40,加蒸馏水到含W2O72-溶液至体积为100mL,得到澄清的电解液;以ITO导电玻璃为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阴极电位为-0.4~ -0.6V, 沉积时间为60分钟,得到无定形氧化钨薄膜,晾干备用;
2)浸渍法掺杂铁:将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟,得到铁掺杂氧化钨薄膜,取出后用蒸馏水冲洗,空气中晾干;
3)煅烧:将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中,在450°C下高温煅烧3小时,冷却至室温后取出,得到铁掺杂三氧化钨光电极。
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