[发明专利]加热装置、涂敷装置及加热方法在审
申请号: | 201210175124.4 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810498A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 宫本英典;佐保田勉 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;B05C9/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
1.一种加热装置,其具备:
第一加热部及第二加热部,它们在涂敷膜的膜厚方向上夹着配置具有所述涂敷膜的基板的基板位置;
距离调整部,其对所述基板位置与所述第一加热部的第一距离及所述基板位置与所述第二加热部的第二距离中的至少一方进行调整。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其中,
所述距离调整部具有使所述第一加热部及所述第二加热部中的至少一方在所述膜厚方向上移动的移动部。
3.根据权利要求1所述的加热装置,其中,
所述第一加热部及所述第二加热部在铅直方向上排列配置。
4.根据权利要求1所述的加热装置,其中,
所述加热装置还具备对在所述基板位置上配置的所述基板进行保持的基板保持部。
5.根据权利要求3所述的加热装置,其中,
所述第一加热部及所述第二加热部中的相对于所述基板位置配置在铅直方向的下侧的一方的加热部兼作所述基板保持部。
6.根据权利要求4所述的加热装置,其中,
所述距离调整部对所述第一距离及所述第二距离中的至少一方进行调整,以使所述第一加热部及所述第二加热部中的相对于所述基板位置配置在铅直方向的上侧的另一方的加热部不与所述涂敷膜接触。
7.根据权利要求1所述的加热装置,其中,
所述加热装置还具备包围所述基板位置、所述第一加热部及所述第二加热部的腔。
8.根据权利要求7所述的加热装置,其中,
所述腔具有导入气体的气体导入部。
9.根据权利要求8所述的加热装置,其中,
所述气体导入部设置于在其与所述基板位置之间夹着所述第一加热部及所述第二加热部中的至少一方的位置。
10.根据权利要求7所述的加热装置,其中,
所述腔具有排出气体的气体排出部。
11.根据权利要求7所述的加热装置,其中,
所述腔具有导入气体的气体导入部及排出所述气体的气体排出部,
所述气体导入部及所述气体排出部设置在夹着所述基板位置的位置上。
12.一种涂敷装置,其具备:
涂敷部,其将含有易氧化性的金属及溶剂的液状体的涂敷膜形成在基板上;
加热部,其对形成有所述涂敷膜的所述基板进行加热;
搬运部,其在所述涂敷部与所述加热部之间搬运所述基板,
作为所述加热部,使用权利要求1所述的加热装置。
13.一种加热方法,其包括:
利用第一加热部及第二加热部,来加热具有涂敷膜的基板的加热步骤,其中,所述第一加热部及第二加热部在所述涂敷膜的膜厚方向上夹着配置所述基板的基板位置;
对所述基板位置与所述第一加热部的第一距离及所述基板位置与所述第二加热部的第二距离中的至少一方进行调整的距离调整步骤。
14.根据权利要求13所述的加热方法,其中,
在进行所述基板的加热的期间,进行所述距离调整步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造