[发明专利]一种光学防伪元件及其制备方法

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括基材（3），所述基材（3）包括第一表面（31）和第二表面（32），所述第一表面（31）上的部分区域为亚波长微浮雕结构、部分区域为平坦表面结构，所述亚波长微浮雕结构和所述平坦表面结构上均依次层叠有第一介质层、第二介质层和第三介质层，在特定观察角度下，所述亚波长微浮雕结构区域和所述平坦表面结构区域的颜色相同，在其他观察角度，所述亚波长微浮雕结构区域和所述平坦表面结构区域的颜色不相同。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述特定观察角度是0度或者大于0度的其他值。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一介质层和所述第三介质层的折射率大于或等于1.7。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一介质层和所述第三介质层的厚度为10nm至300nm。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一介质层和所述第三介质层的厚度为50nm至200nm。

6.根据权利要求3至5中任一权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述第一介质层和所述第三介质层的材料选自ZnS、TiN、TiO₂、TiO、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、Nb₂O₅、CeO₂、Bi₂O₃、Cr₂O₃、Fe₂O₃中的任意材料或其组合。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二介质层的折射率小于1.7。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二介质层的厚度为50nm至1000nm。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二介质层的厚度为100nm至500nm。

10.根据权利要求7至9中任一权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述第二介质层的材料选自SiO₂、MgF₂、Na₃AlO₆、Al₂O₃中的任意材料或其组合。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长微浮雕结构为一维光栅且方向可变。

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长微浮雕结构的周期、槽深和槽型中的至少一者是可变的。

13.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长微浮雕结构在x方向和/或y方向上的周期为50nm至500nm。

14.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长微浮雕结构在x方向和/或y方向上的周期为200nm至400nm。

15.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述槽深位于10nm至500nm的范围内。

16.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述槽深位于50nm至200nm的范围内。

17.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述槽型为正弦形、矩形、锯齿形中的至少一者。

18.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述基材（3）为透明或非透明、有色或无色的薄膜。

19.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述基材（3）的第一表面（31）上覆盖有透明/半透明的涂层，以使光线透过。

20.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述基材（3）的部分或全部第二表面（32）上覆盖有吸收层。