[发明专利]利用结构化的玻璃涂层制作衍射光学元件无效
申请号: | 201210171310.0 | 申请日: | 2005-06-08 |
公开(公告)号: | CN102707351A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 迪特里希·蒙德;克劳斯·迈克尔·海莫尔 | 申请(专利权)人: | 肖特股份公司 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G02B3/08;G03F7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 结构 玻璃 涂层 制作 衍射 光学 元件 | ||
1.一种用于施加光活性结构化到基片上的方法,包括利用光刻掩模的结构化,其特征在于多次重复以下步骤:
利用光敏抗蚀层涂敷基片,
光刻结构化施加的层,
借助于物理汽相沉积,利用光活性层涂敷预结构化的基片,该光活性层包含选自由玻璃和金属构成的组中的至少一种材料,和
去掉抗蚀层。
2.按照权利要求1的方法,其中涂敷基片的步骤是借助于旋转涂敷、喷射、电沉积和/或借助于至少沉积一个光敏抗蚀薄膜实现的。
3.按照权利要求1或2的方法,其中光活性结构化被施加到所述基片的底部和/或所述基片的顶部。
4.按照权利要求1或2的方法,其中去掉抗蚀层的步骤是按照这样方式实现的,即还去掉已施加到抗蚀层上的至少一个层。
5.按照权利要求1或2的方法,其中涂敷步骤包括通过热或电子束蒸发的蒸发沉积,利用光活性层涂敷预结构化的基片。
6.按照权利要求1或2的方法,其中涂敷步骤包括:借助于电子束PIAD过程,利用光活性层涂敷预结构化的基片。
7.按照权利要求1或2的方法,其中光刻结构化步骤包括:掩模曝光和随后的显影。
8.按照权利要求1或2的方法,其中光活性层是按照这样方式施加的,即该光活性层包含沿垂直于基片表面的方向和/或沿平行于基片表面的方向变化的层成分。
9.按照权利要求1或2的方法,其中利用光活性层涂敷预结构化的基片在每层中包含相同的材料或不同的材料。
10.按照权利要求1或2的方法,其中光活性层是按照这样方式施加的,即该光活性层包含沿垂直于基片表面的方向和/或沿平行于基片表面的方向变化的层成分。
11.按照权利要求1或2的方法,其中通过PVD过程利用涂敷材料制作光活性层,该材料是由玻璃制成。
12.按照权利要求1或2的方法,其中借助于PVD过程中的电子束蒸发,施加光活性层。
13.按照权利要求1或2的方法,其中借助于PIAD过程中的电子束蒸发,施加光活性层。
14.一种光活性元件,包括基片和在所述基片上的至少一个光活性第一层,其中该第一层是由选自玻璃或金属中的至少一种材料制成并有光活性结构,其中通过包括利用光刻掩模的结构化的过程制作光活性结构,其特征在于多次重复以下步骤:
利用光敏抗蚀层涂敷基片,
光刻结构化施加的层,
借助于物理汽相沉积,利用光活性层涂敷预结构化的基片,该光活性层包含选自由玻璃和金属构成的组中的至少一种材料,和
去掉抗蚀层。
15.按照权利要求14的光活性元件,其中光活性第一层施加到所述基片的底部和/或所述基片的顶部。
16.按照权利要求14或15的光活性元件,其中光活性第一层的厚度在0.1μm和最大为1mm之间。
17.按照权利要求14或15的光活性元件,其中光活性第一层的每个结构的宽度小于50μm。
18.按照权利要求14或15的光活性元件,其中光活性第一层包含沿垂直于基片表面的方向和/或沿平行于基片表面的方向变化的材料成分。
19.按照权利要求14或15的光活性元件,其中涂敷基片是借助于旋转涂敷、喷射、电沉积和/或借助于至少沉积一个光敏抗蚀薄膜实现的。
20.按照权利要求14或15的光活性元件,其中按照这样的方式去掉抗蚀层,即还去掉已施加到抗蚀层上的至少一个层。
21.如权利要求14或15的光活性元件,其中利用光活性层涂敷预结构化的基片是通过热或电子束蒸发的蒸发沉积实现的。
22.按照权利要求14至15的光活性元件,其中借助于电子束PIAD过程,利用光活性层涂敷预结构化的基片。
23.按照权利要求14至15的光活性元件,其中光刻结构化包括:掩模曝光和随后的显影。
24.按照权利要求14或15的光活性元件,其中光活性元件有几个光活性层的阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖特股份公司,未经肖特股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210171310.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。