[发明专利]刷新存储器器件的方法、刷新地址产生器和存储器器件有效
申请号: | 201210167901.0 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102800353A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 朴哲佑;崔周善;黄泓善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/408 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金玉洁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刷新 存储器 器件 方法 地址 产生器 | ||
1.一种刷新存储器器件的方法,包含:
以刷新周期产生刷新地址;
当刷新地址是第二地址时,在具有第一地址的弱单元上、而非在具有第二地址的第一强单元上执行相应刷新;
当刷新地址是第三地址时,在第一强单元和具有第三地址的第二强单元之一上执行相应刷新;以及
仅存储用于第一地址、第二地址和第三地址其中之一的地址信息。
2.如权利要求1所述的方法,其中,仅第一地址、第二地址和第三地址之一被存储,并且其中,第一地址、第二地址和第三地址中剩余的两个地址能够从预定位关系确定。
3.如权利要求1所述的方法,其中,第一强单元和第二强单元中的每一个不是每个刷新周期都被刷新,并且其中,当刷新地址是第一地址时,在弱单元上执行另一刷新,以使弱单元在刷新周期期间被刷新多次。
4.如权利要求1所述的方法,还包含:
将刷新地址与地址信息进行比较,以确定刷新地址是否是第二地址和第三地址中的任何一个。
5.如权利要求1所述的方法,其中,弱单元具有比刷新周期短的相应保持时间,并且其中,第一强单元和第二强单元各自具有比刷新周期的两倍长的相应保持时间。
6.如权利要求1所述的方法,其中,当刷新地址是第三地址时,取决于标志,在第一强单元和第二强单元之一上执行相应刷新。
7.如权利要求1所述的方法,其中,第一地址和第二地址的区别在于最高有效位的反转,并且其中,第二地址和第三地址的区别在于最低有效位的反转。
8.如权利要求1所述的方法,其中,第一地址、第二地址和第三地址分别是相应行地址,并且其中,所述方法还包含:
当刷新地址是第二地址时,在具有第一地址的弱行上、而非在具有第二地址的第一强行上执行相应刷新,以及
当刷新地址是第三地址时,在第一强行和具有第三地址的第二强行之一上执行相应刷新。
9.如权利要求1所述的方法,其中,第一地址和第二地址的区别在于最高有效位的反转,并且其中,第二地址和第三地址的区别在于不是最高有效位的另一位的反转。
10.如权利要求1所述的方法,其中,从地址池中选择第三地址,该地址池具有由第一地址和第二地址之一的至少两个最低有效位定义的范围。
11.如权利要求1所述的方法,还包含:
当刷新地址是第二地址时,取决于标志,在弱单元和第一强单元之一上执行相应刷新;以及
当刷新地址是第三地址时,取决于标志,在弱单元和第二强单元之一上执行相应刷新。
12.如权利要求1所述的方法,还包含:
在被选择的存储器存储体中,当刷新地址是第二地址时,在具有第一地址的弱单元上、而非在第一强单元上执行相应刷新;以及
在未被选择的存储器存储体中,在具有第二地址的相应单元上执行刷新。
13.如权利要求12所述的方法,还包含:
在被选择的存储器存储体中,当刷新地址是第三地址时,在第一强单元和第二强单元之一上执行刷新;以及
在未被选择的存储器存储体,在具有第三地址的相应单元上执行刷新。
14.如权利要求1所述的方法,还包含:
当刷新地址是多个第二地址中的任何一个时,在弱单元上、而非在第二地址的相应单元上执行相应刷新。
15.如权利要求14所述的方法,还包含:
当刷新地址是多个第三地址中的任何一个时,在第二地址的相应单元和多个第三地址的相应单元之一上执行刷新。
16.如权利要求14所述的方法,还包含:
当刷新地址是第三地址时,在第二地址的相应单元和第二强单元之一上执行刷新。
17.如权利要求14所述的方法,还包含:
存储第二地址,以用于和刷新地址进行比较。
18.如权利要求14所述的方法,还包含:
每当刷新地址是用于多个存储器存储体中的每一个的相应多个第二地址中的任何一个时,对相应弱单元执行相应刷新。
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