[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210167032.1 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102709481A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;肖田 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括衬底、阳极层、阴极层、以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层包括发光层,其特征在于,所述发光层中设置有插入层,所述插入层将发光层分隔为多个子发光层,所述插入层对空穴的传输能力小于对电子的传输能力。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层的空穴迁移率低于所述子发光层的空穴迁移率。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层的HOMO低于所述子发光层的HOMO,所述插入层的电子迁移率高于所述子发光层的电子迁移率,所述插入层的三重态能量等于或高于子发光层的三重态能量,所述插入层的单重态能量等于或高于子发光层的单重态能量。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层的空穴迁移率比所述子发光层的空穴迁移率低5倍或以上,所述插入层的电子迁移率高于所述子发光层的电子迁移率5倍或以上。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层采用一层,该插入层将发光层分隔为第一子发光层和第二子发光层,所述第一子发光层和第二子发光层的厚度比为1:50~50:1,所述第一子发光层和第二子发光层采用相同的材料制成。
6.根据权利要求1-5之一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层采用有机材料或无机材料制成,所述插入层的厚度范围为1~20nm。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述制作插入层的有机材料包括邻菲罗林衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、咪唑衍生物、金属喹啉络合物、或蒽的衍生物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述插入层采用BCP、Bphen、或TPBI制成。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述子发光层由具有空穴传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成,或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成,或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述具有空穴传输能力的发光材料包括NPB或DPVBI;所述荧光掺杂剂包括香豆素染料、喹吖啶酮、或DCM系列;所述磷光掺杂剂包括基于Ir、Pt、Ru、或Cu的金属配合物发光材料;所述基质材料包括金属配合物、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述基于Ir、Pt、Ru、或Cu的金属配合物发光材料包括FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)、或(MDQ)2Iracac;所述基质材料包括双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(Balq)、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、CBP、MCP、TCTA、或NPB。
12.一种有机电致发光器件的制备方法,包括制作发光层的步骤,其特征在于,所述发光层的制作过程包括:
1)制作子发光层;
2)在所述子发光层上制作插入层;
3)在所述插入层上制作子发光层;
其中,所制作的插入层的空穴迁移率低于所述子发光层的空穴迁移率;
如果插入层采用为一层,则形成发光层;如果插入层采用一层以上,则根据插入层的层数,重复进行步骤2)-3),最终形成发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择