[发明专利]电压保护集成电路和电压保护系统有效
申请号: | 201210164561.6 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN102800666A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | N·加涅;格雷戈里·A·马赫尔;C·克莱恩 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 保护 集成电路 系统 | ||
1.一种电压保护集成电路(IC),其包括:
外部IC连接点;
IC衬底连接点,其中,当所述外部IC连接点的电压处于正常工作电压范围内时所述IC衬底连接点的电压被设置成第一电压;
电压箝位电路,其被配置成:当所述外部IC连接点的电压超出所述正常工作电压范围时,将所述IC内部的一个或多个电路的电压源箝位在正常工作电压范围内;以及
欠电压电路,其通信地连接到所述箝位电路,并且被配置成:当所述IC的所述外部IC连接点的电压小于0伏时,将所述衬底的电压设置成第二电压。
2.根据权利要求1所述的电压保护IC,其中所述欠电压电路被配置成:当所述外部IC连接点处的电压小于0伏时,将所述衬底的电压设置成等于所述外部IC连接点处的电压。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的电压保护IC,其中所述欠电压电路被配置成:当所述外部IC连接点的电压小于0伏时,将所述IC衬底连接点的电压设置在所述外部IC连接点的电压的晶体管阈值电压以内。
4.根据权利要求1和2中任一项所述的电压保护IC,其中所述欠电压电路包括N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,所述NMOS晶体管的栅极区域通信地连接到地电势,所述NMOS晶体管的源极区域通信地连接到所述衬底连接点,并且其中,当所述外部IC连接点的电压小于0伏时,所述IC衬底连接点通过所述NMOS晶体管设置到所述外部IC连接点的电压。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电压保护IC,其中所述欠电压电路被配置成:
当所述外部IC连接点处的电压小于0伏时,产生负电压供电轨;以及
将所述IC衬底连接点电连接到所述负电压供电轨。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的电压保护IC,其中所述电压箝位电路包括一个或多个高压晶体管,并且所述欠电压电路被配置成:当所述外部IC连接点的电压小于0伏时,将所述高压晶体管的衬底连接点设置到所述外部IC连接点的电压。
7.根据权利要求6所述的电压保护IC,其中所述高压晶体管包括高压NMOS晶体管,其中所述欠电压电路包括连接在所述高压晶体管的栅极和地电势之间的肖特基二极管,以便当所述外部IC连接点处的电压小于0伏时,将所述高压晶体管的栅极设置成低于接地电压的肖特基二极管电压。
8.一种电压保护系统,包括:
集成电路,其包括:
外部IC连接点;
IC衬底连接点,其中,当所述外部IC连接点的电压处于正常工作电压范围内时,所述IC衬底连接点的电压被设置成第一电压;
电压箝位电路,其被配置成:当所述外部IC连接点的电压超出正常工作电压范围时,将所述IC内部的电路的电源箝位在正常工作电压范围内;以及
欠电压电路,其通信地连接到所述箝位电路,并且被配置成:当所述IC的所述外部IC连接点的电压小于0伏时,将所述衬底的电压设置成第二电压;以及
电池充电电路,其通信地连接到所述电压箝位电路。
9.根据权利要求8所述的电压保护系统,其中所述系统被包含在移动电话中。
10.根据权利要求8和9中任一项所述的电压保护系统,其中所述外部IC连接点被通信地连接到所述移动电话的通用串行总线(USB)端口。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的电压保护系统,其中所述电压箝位电路被配置成:当所述外部IC连接点的电压处于6V到28V的范围时,将所述IC内部的电路的所述电源箝位在正常工作电压范围内。
12.根据权利要求8-11中任一项所述的电压保护系统,其中所述欠电压电路被配置成:当所述外部IC连接点的电压处于小于0V到-6V的电压范围内时,将所述衬底连接点的电压设置成等于所述外部IC连接点的电压。
13.根据权利要求8-12中任一项所述的电压保护系统,其中所述欠电压电路被配置成:
当所述外部IC连接点的电压小于0伏时,产生负电压供电轨;以及
将所述IC衬底连接点电连接到所述负电压供电轨。
14.根据权利要求8-13所述的电压保护系统,其中所述欠电压电路被配置成:当所述外部IC连接点的电压小于0伏时,调节所述衬底连接点处的电压以跟随所述外部IC连接点的电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的