[发明专利]V2O3复合限流元件的制备方法无效
| 申请号： | 201210163553.X | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102682939A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨敬义 | 申请（专利权）人： | 成都顺康电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 谢焕武 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sub 复合 限流 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备：
a 、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；
b 、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；
c 、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；
d 、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。
2.根据权利要求 1 所述的V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是在步骤a中V2O3陶瓷粉末和聚四氟乙烯乳液这两种原料的重量配比为V2O3陶瓷粉末 70-90 份，聚四氟乙烯乳液10-30 份。
3.根据权利要求 1 所述的V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是在步骤b中预成型的压强控制在24-32MPa / cm2 。
4.根据权利要求 1 所述的V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是在步骤c中烧结温度控制在 350℃-390℃。
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