[发明专利]可检测自适应压力调整器泄露状态的设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种可检测自适应压力调整器泄露状态的设备。

背景技术

目前，在半导体器件的制造过程中，例如会使用到CDE200型或CDE80型的化学干法蚀刻设备。如图1所示，对于这些设备来说，一般在其处理腔10（process chamber）到干式抽气泵40（dry pump）之间的抽气管道上，依次设置有隔离阀30（ISO valve）与自适应压力调整器20（APC，adoptive pressure controller）。

然而，因为抽气通道中的气流，在通入到自适应压力调整器20之前，就被关闭的隔离阀30所阻断。因此，在对处理腔10进行常规的漏气率检测时，就难以发现出现在隔离阀30之后管道上的泄露情况，所以在自适应压力调整器20位置例如由于其中O型圈损坏所造成的泄露，也就难以被检测到。

即，这些设备的上述设计具有以下的缺陷：

1、不能对其中设置的自适应压力调整器的状态进行实时监测；

2、在每天对处理腔的漏气率进行的例行检查中，无法发现自适应压力调整器处的泄露情况；

3、如果自适应压力调整器出现异常，必须在关闭干式抽气泵之后，才能对自适应压力调整器进行检修作业。

若自适应压力调整器出现工作异常，可能会出现硅片报废等后果，对生产造成严重影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种可检测自适应压力调整器泄露状态的设备，通过改变自适应压力调整器与隔离阀在抽气管道上的排布顺序，能够在对处理腔的日行检测中，完成对自适应压力调整器泄露情况的检测，减少由此泄露带来的产品质量隐患。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供一种可检测自适应压力调整器泄露状态的设备，所述设备设置有处理腔对置于该处理腔内的晶圆或基板进行加工处理，还设置有通过抽气管道与所述处理腔连通进行抽气的干式抽气泵；所述抽气管道上依次设置有自适应压力调整器和隔离阀，使来自所述处理腔的气体，先流过所述自适应压力调整器，再通到所述隔离阀。

所述设备可以是一种化学干法蚀刻设备。

与现有技术相比，本发明所述的设备，其优点在于：本发明在抽气通道中的气流，先通过自适应压力调整器之后，才由关闭的隔离阀阻断，因此，可以方便设备检修人员对自适应压力调整器的状态进行实时监测；在处理腔的例行检测时，也可以对自适应压力调整器的泄露情况一起进行检测；并且，由于隔离阀将气流在干式抽气泵之前阻断，在检修自适应压力调整器的时候，就不需要关闭干式抽气泵了。这样可以有效提高自适应压力调整器异常的发现率，减少由泄露对生产带来的影响，提高产品质量。

附图说明

图1是现有设备的结构示意图，在其抽气管道上是先设置隔离阀，再设置自适应压力调整器；

图2是本发明所述设备的结构示意图，在其抽气管道上是先设置自适应压力调整器，再设置隔离阀。

具体实施方式

如图2所示，本发明所述设备是一种半导体制造设备，例如是CDE200型或CDE80型的化学干法蚀刻设备。

所述设备在处理腔1（process chamber）及干式抽气泵4（dry pump）之间以抽气管道连通，在该抽气管道上先设置自适应压力调整器2（APC）再设置隔离阀3（ISO valve），使得自适应压力调整器2在抽气管道上更靠近处理腔1，而隔离阀3则更靠近干式抽气泵4。自适应压力调整器2中一般设置有密封用的O型圈。以下省略对该设备其他组成部分的描述。

本发明所述的设备中，抽气通道中的气流在通过自适应压力调整器2之后，才由关闭的隔离阀3阻断，因此，可以方便设备检修人员对自适应压力调整器2的状态进行实时监测；在处理腔1的例行检测时，也可以对自适应压力调整器2的泄露情况一起进行检测；并且，由于隔离阀3将气流在干式抽气泵4之前阻断，在检修自适应压力调整器2的时候，就不需要关闭干式抽气泵4了。这样可以有效提高自适应压力调整器2异常的发现率，减少由泄露对生产带来的影响，提高产品质量。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。例如，抽气泵可以使用其他类似装置，不限于上文提到的干式抽气泵；例如，本发明所述的设备也不限于上文描述的化学干法蚀刻设备，可以是在抽气泵、处理腔之间的管道设置自适应压力调整器及隔离阀的其他类似设备；又例如，需要检测漏气情况的不是自适应压力调整器，而是设置在处理腔与隔离阀之间的管道上的其他器件，等等。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。