[发明专利]用于测量环境力的器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210161647.3 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN102795590A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: S.K.加米奇;N.V.曼特拉瓦迪 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;朱海煜
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 测量 环境 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种器件,包括:

包括器件晶圆(50)的第一器件层(100)的一部分的凸耳(550),所述器件晶圆(50)包括所述第一器件层(100)和第二器件层(200),所述第一器件层(100)通过第一绝缘层(150)与所述第二器件层(200)分隔;

位于衬底晶圆(600)的顶面上的隔膜空腔(650),所述衬底晶圆(600)的所述顶面接合到所述第一器件层(100)的顶面,以在所述隔膜空腔(650)上形成隔膜(500),所述隔膜(500)包括所述第二器件层(200)的一部分,并且所述凸耳(550)从所述隔膜(500)延伸;以及

位于所述第二器件层(200)中的感测元件(850),以感测所述隔膜(500)中的挠曲。

2.如权利要求1所述的器件,还包括:

位于所述第二器件层(200)中的互连(825),所述互连(825)与所述感测元件(850)电通信;以及

金属化层(800),所述金属化层(800)提供所述器件的外表面与所述互连(825)之间的电通信。

3.如权利要求1所述的器件,其中,所述感测元件(850)包括压阻感测元件(850)。

4.如权利要求1所述的器件,其中,所述衬底晶圆(600)包括双面抛光晶圆。

5.如权利要求1所述的器件,其中,所述衬底晶圆(600)包括绝缘体上硅晶圆的器件层。

6.如权利要求1所述的器件,其中,所述器件测量绝对压力。

7.如权利要求1所述的器件,其中,所述隔膜空腔(650)完全贯穿所述衬底晶圆(600)。

8.如权利要求7所述的器件,其中,所述器件测量差压。

9.如权利要求1所述的器件,其中,所述器件测量低压。

10.如权利要求1所述的器件,其中,选择所述衬底晶圆(600)的厚度以最小化传导到所述隔膜(500)的封装应力。

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