[发明专利]一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法无效
| 申请号： | 201210158722.0 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709188A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氮化 不同 区域 厚度 均匀 方法 | ||
1.一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一半导体结构上，沉积侧墙氧化物层覆盖所述半导体结构的上表面后；
步骤S2：沉积侧墙氮化物层覆盖所述侧墙氧化物层的上表面，于小线宽处区域上形成悬挂膜；
步骤S3：采用原位等离子刻蚀工艺部分刻蚀所述侧墙氮化物层，以去除悬挂膜；
步骤S4：依次重复步骤S2、S3直至最终形成的侧墙氮化物层的厚度符合工艺需求；
其中，所述原位等离子刻蚀工艺采用的等离子在反应腔室内产生。
2.根据权利要求1所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述小线宽处区域为静态存储器SRAM的多晶栅区域。
3.根据权利要求2所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述半导体结构包括设置在硅衬底上的阱区，及部分嵌入设置所述阱区内的浅沟隔离槽，阱区上设置有多个多晶栅，所述侧墙氧化物层覆盖暴露的阱区及浅沟隔离槽的上表面、所述多个多晶栅的上表面及其侧壁。
4.根据权利要求3所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述多晶栅与所述阱区之间设置有多晶栅氧化物层。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，步骤S2中沉积侧墙氮化物层的沉积温度小于300-600℃。
6.根据权利要求5所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，步骤S3中采用NF3、H2的原位等离子进行等离子刻蚀工艺。
7.根据权利要求6所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述原位等离子刻蚀工艺采用的等离子在进行工艺步骤2、3的反应腔室内直接生成。
8.根据权利要求7所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，在刻蚀去除小线宽处区域上的悬挂膜的同时，覆盖在大线宽处区域上的氮化硅薄膜也被部分刻蚀。
9.根据权利要求8所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述大线宽处区域为单个多晶栅区域。
10.跟据权利要求9所述的改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，所述侧墙氧化物层的材质为二氧化硅，所述侧墙氮化物层的材质为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
