[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201210153530.0 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN103000654B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 严基明 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 罗正云,宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:发射不同颜色的光的多个子像素,每个子像素包括薄膜晶体管和电容器,发射第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的尺寸大于发射第二颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的尺寸,其中所述电容器包括储存电容器和升压电容器,并且形成发射所述第一颜色的光的子像素的所述储存电容器和所述升压电容器的材料层的重叠面积大于形成发射所述第二颜色的光的子像素的所述储存电容器和所述升压电容器的材料层的重叠面积。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一颜色是绿色。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中每个薄膜晶体管包括重叠区,所述重叠区包括有源层和栅电极,并且发射所述第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度小于发射所述第二颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度,并且其中发射所述第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的长度大于发射所述第二颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的长度。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中发射所述第二颜色的光的子像素的宽度与长度的比值在从4:20到5:20的范围内,并且发射所述第一颜色的光的子像素的宽度与长度的比值在从3:30到4:30的范围内。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中每个薄膜晶体管包括重叠区,所述重叠区包括有源层和栅电极,并且发射所述第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度小于发射所述第二颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度,并且其中在发射所述第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区中,所述栅电极具有矩形形状,并且所述有源层具有T形形状。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中形成所述储存电容器的材料层的重叠区包括第一存储电极和第二存储电极,形成所述升压电容器的材料层的重叠区包括第一升压电极和第二升压电极,所述薄膜晶体管的有源层、所述第一存储电极和所述第一升压电极同时由第一材料层形成,并且所述薄膜晶体管的栅电极、所述第二存储电极和所述第二升压电极同时由第二材料层形成。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,进一步包括多个孔,所述多个孔形成在发射所述第一颜色的光的子像素的所述储存电容器的所述第一存储电极和所述第二存储电极之一中。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述薄膜晶体管是驱动晶体管。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,进一步包括绝缘层,所述绝缘层形成在所述第一材料层与所述第二材料层之间。
10.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,所述第一颜色是绿色。
11.一种有机发光显示装置,包括:红色子像素和绿色子像素,所述红色子像素和所述绿色子像素中的每一个包括薄膜晶体管和电容器,所述绿色子像素的所述薄膜晶体管的尺寸大于所述红色子像素的所述薄膜晶体管的尺寸,其中所述电容器包括储存电容器和升压电容器,并且形成所述绿色子像素的所述储存电容器和所述升压电容器的材料层的重叠面积大于形成所述红色子像素的所述储存电容器和所述升压电容器的材料层的重叠面积。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中每个薄膜晶体管包括重叠区,并且所述重叠区包括有源层和栅电极,所述绿色子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度小于所述红色子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的宽度,并且其中所述绿色子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的长度大于所述红色子像素的所述薄膜晶体管的所述重叠区的长度。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中所述红色子像素的宽度与长度的比值在从4:20到5:20的范围内,所述绿色子像素的宽度与长度的比值在从3:30到4:30的范围内。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中形成所述储存电容器的材料层的重叠区包括第一存储电极和第二存储电极,形成所述升压电容器的材料层的重叠区包括第一升压电极和第二升压电极,所述薄膜晶体管的有源层、所述第一存储电极和所述第一升压电极同时由第一材料层形成,并且所述薄膜晶体管的栅电极、所述第二存储电极和所述第二升压电极同时由第二材料层形成。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,进一步包括多个孔,所述多个孔形成在所述绿色子像素的所述储存电容器的所述第一存储电极和所述第二存储电极之一中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的