[发明专利]LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210153362.5 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426978A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片制造方法，该制造方法包括步骤：
提供基底；
在基底上形成缓冲层以及第一半导体层；
于该第一半导体层上形成光阻以及围绕该光阻的阻挡层，该阻挡层朝向该光阻的内侧面与该第一半导体层所夹设的内角呈角度θ；
移除该光阻，该阻挡层围设成磊晶区域；
于该磊晶区域内生成发光结构，该发光结构包括发光层与第二半导体层；
去除该阻挡层，外露出该发光结构的外侧面以及未被该发光结构遮挡的部分该第一半导体层；及
于该外露的第一半导体层与该发光结构的第二半导体层上分别形成二电极。
2.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该光阻通过黄光制程涂布，该阻挡层通过气相沉积法沉积法形成。
3.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该光阻的剖面呈一上底长于下底的梯形。
4.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：θ的取值范围为大于0度并小于90度。
5.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该第二半导体层上还包括导电层，其中一电极设置于该第二半导体层上。
6.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该阻挡层由二氧化硅材料制成，该阻挡层通过氢氟酸蚀刻去除。
7.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该第一半导体层为N型层，该第二半导体层位P型层。
8.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该发光结构还包括另一第一半导体层。
9.如权利要求8所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该两第一半导体层由相同材质制成。
10.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：该发光结构通过金属有机化合物化学气相沉淀生成。
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