[发明专利]一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210152685.2 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103390652B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为第一导电半导体材料构成；
漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个
沟槽结构，沟槽位于漂移层中，漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料，沟槽内下部填充有绝缘材料，沟槽内上部填充电极金属，沟槽内上部电极金属与第二导电半导体材料侧壁为欧姆接触区相连，或者沟槽内上部电极金属与第二导电半导体材料侧壁为设置绝缘材料层进行隔离；
肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料上表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层包括为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部填充的绝缘材料包括为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料上表面为欧姆接触区。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料与漂移层第一导电半导体材料包括形成电荷补偿结构。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为势垒金属与第一导电半导体材料形成的势垒结。
8.如权利要求1所述的一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在第一导电半导体材料构成衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成氮化硅层；
2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分氮化硅层，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；
3)在沟槽内进行第二导电杂质扩散；
4)在沟槽内淀积二氧化硅，反刻蚀二氧化硅，腐蚀去除表面氮化硅层；
5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结，然后在表面淀积金属，在沟槽内上部形成电极金属。
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