[发明专利]制造半导体器件和晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括多个鳍的工件；

在所述多个鳍的顶面上方形成半导体材料；

在所述半导体材料上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方设置绝缘材料；以及

从所述多个鳍的上方去除所述蚀刻停止层的一部分和所述绝缘材料，其中，对形成所述半导体材料或形成所述蚀刻停止层进行控制，从而使得去除所述蚀刻停止层的所述一部分时不会去除位于所述多个鳍上方的所述半导体材料的最宽部分之间的蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对形成所述半导体材料以及形成所述蚀刻停止层两者进行控制。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过控制位于所述多个鳍上方的所述半导体材料的所述最宽部分之间的间隔来控制所述半导体材料的形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过控制所述蚀刻停止层的厚度来控制所述蚀刻停止层的形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括形成对所述绝缘材料具有蚀刻选择性的材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括形成SiN、SiON、SiC、或SiOC。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述蚀刻停止层的所述一部分包括在所述多个鳍上方的所述半导体材料的所述最宽部分上方留下至少大约15nm的蚀刻停止层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个鳍包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的鳍。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供工件；

在所述工件上方形成多个鳍；

在所述多个鳍中的每一个的顶面上方外延生长半导体材料；

在所述半导体材料上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方放置绝缘材料；

从所述多个鳍的上方去除所述蚀刻停止层的一部分和所述绝缘材料；以及

在所述多个鳍上方形成导电材料，其中，对形成所述半导体材料或形成所述蚀刻停止层进行控制，从而使得去除所述蚀刻停止层的所述一部分时不会去除位于所述多个鳍上方的所述半导体材料的最宽部分之间的蚀刻停止层。

10.一种制造晶体管的方法，包括：

提供工件；

在所述工件上方形成多个鳍；

在所述多个鳍中的每一个的顶面上方外延生长非混合的半导体材料，所述半导体材料的接近中心区域比所述半导体材料的接近顶面区域更宽；

在所述半导体材料上方形成蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层的一部分形成在所述半导体材料的较宽的中心区域下面；

在所述蚀刻停止层上方设置绝缘材料；

蚀刻掉位于所述多个鳍上方的所述蚀刻停止层的顶部和所述绝缘材料；以及

在所述多个鳍上方形成导电材料，从而形成接触件，其中，对形成所述半导体材料或形成所述蚀刻停止层进行控制，从而使得去除所述蚀刻停止层的顶部时不会去除位于所述多个鳍上方的所述半导体材料的较宽的中心区域之间的蚀刻停止层。