[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210147391.0 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN103427026A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平;生启 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
但是在有机小分子材料中,空穴传输速率比电子传输速率要高两个数量级以上,因此,往往导致空穴与电子的复合几率低下,从而降低了有机电致发光器件的发光效率。
发明内容
基于此,有必要发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、量子阱层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述量子阱层包括依次层叠的至少两层二氧化钛层及设置于相邻的两层二氧化钛层之间的空穴注入层,所述空穴注入层的材料为三氧化二钼、三氧化钨或五氧化二钒。
在其中一个实施例中,所述二氧化钛层及所述空穴注入层的厚度均为20nm~150nm。
在其中一个实施例中,所述空穴注入层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
在其中一个实施例中,所述发光层的材料为发光材料与空穴传输材料掺杂形成的混合物,所述发光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱,所述空穴传输材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺,所述发光材料的质量百分含量为1%~20%。
在其中一个实施例中,所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
在其中一个实施例中,所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂。
在其中一个实施例中,所述阴极的材料为银、铝、铂或金。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在基底表面形成阳极;
在阳极表面形成量子阱层,所述量子阱层包括依次层叠的至少两层二氧化钛层及设置于相邻的两层二氧化钛层之间的空穴注入层,所述空穴注入层的材料为三氧化二钼、三氧化钨或五氧化二钒;
在所述量子阱层表面形成发光层;
在所述发光层表面形成电子传输层;
在所述电子传输层表面形成电子注入层;及
在所述电子注入层表面形成阴极。
在其中一个实施例中,所述二氧化钛层及所述空穴注入层的厚度均为20nm~150nm。
在其中一个实施例中,所述空穴注入层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
上述有机电致发光器件及其制备方法,通过设置量子阱层,二氧化钛层中二氧化钛的功函约为-7.2ev,为量子阱势垒,空穴注入层的HOMO能级约为-5.3eV,为量子阱势阱,两者之间有1.9eV的电势差,可以有效抑制空穴的传输,提高空穴与电子的复合几率,使得有机电致发光器件的发光效率较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的基底10、阳极20、量子阱层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。
基底10为玻璃基板。
阳极20形成于基底10表面。阳极20的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au),优选为Ag。阳极20的厚度为80nm~250nm,优选为150nm。
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