[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机材料化合物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机材料化合物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，空穴传输速率一般比电子传输速率要高两个数量级以上，这就使得空穴在发光区域大量积累，而电子数目较少，最终导致空穴和电子的复合几率大大降低，复合区域发生变化，使色坐标发生改变，显色性较差。因此，为了有效提高空穴和电子的复合几率，提高发光器件的发光效率，提供一种具有可有效调控空穴传输速率的有机电致发光器件变得很重要。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过p掺杂空穴传输层调控空穴传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：阳极基底、量子阱层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层p掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层p掺杂空穴传输层之间的发光层，所述p掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂p型材料形成的混合材料，所述p型材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺。

优选地，发光层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

量子阱层是由p掺杂空穴传输层与发光层交替设置形成的具有n+1个p掺杂空穴传输层和n个发光层的结构，其中，1≤n≤6，n为整数。在量子阱结构中，p掺杂空穴传输层为势垒，发光层为势阱，p掺杂空穴传输层与发光层交替设置，第一p掺杂空穴传输层设置在阳极基底上，第n+1p掺杂空穴传输层上设置电子传输层，发光层设置在相邻两个p掺杂空穴传输层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。

当n=2时，量子阱层的结构为：p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。

当n的取值过大，则会使得量子阱层的厚度过大，从而影响空穴传输的效果，不利于提高发光器件的发光效率，因此n应该取合适的值，本发明中，1≤n≤6，n为整数。

在p掺杂空穴传输层的材质中，空穴传输材料为主体，p型材料为客体。

优选地，空穴传输材料为4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N，N’-二（3-甲基苯基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（TPD）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。

优选地，在p掺杂空穴传输层的材质中，p型材料的掺杂质量分数为1~10%。

优选地，发光层的材质为红荧烯（rubrene）、4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）或4-(二氰基亚甲基）-2-甲基-6-(四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃（DCJT）。

发光层的材质为红光材料，红光材料由于能隙较窄，适合作为量子阱的势阱，可以限制空穴与电子复合形成的激子在发光层中发光。

优选地，p掺杂空穴传输层的厚度为2~20nm/层，发光层的厚度为2~20nm/层。

p型材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）或4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（2T-NATA）。