[发明专利]一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201210146787.3 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN102718477A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 黄祥贤;张子山;蔡明通;宋运雄;谢显斌 | 申请(专利权)人: | 福建火炬电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 李秀梅 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 x8r mlcc 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及功能陶瓷领域,特别是指一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法。
背景技术
近年来,国内外对X7R(工作温度范围-55℃~125℃,容温变化率在±15%以内)MLCC材料进行广泛研究并成功应用,其中以钛酸钡基材料在生产和应用中不会对环境和人体产生危害,且制得的MLCC性能优良稳定,因而受到人们的广泛关注,而且发展迅速。然而,随着国防科技、汽车工业等的不断发展,对能在恶劣的工作环境下应用的MLCC的需求越来越广泛。如各种车载电子控制系统有ABS、发动机电子控制控制单元(ECU)灯;再如航空航天设备的发动机系统、大功率相控阵雷达等国防电子设备;其极端苛刻的工作环境要求MLCC的高温工作范围延伸到150℃以上,甚至更高,而且在电路越来越精密的,MLCC越来越来薄的发展方向,需要开发更高介电常数(2600以上)的X8R材料。同时,随着市场竞争的不断激烈,MLCC价格持续下降,采用传统的贵金属钯银作内电极制造X8R-MLCC,成本高昂,大大减弱了产品的市场竞争力,所以有必要开发贱金属镍作内电极制造X8R MLCC的方法。开发镍电极MLCC的关键在于开发具有抗还原的MLCC材料。
发明内容
本发明的目的在于解决MLCC材料的抗还原性能以适应金属镍做内电极的问题,提出本发明创造的构思。本发明的目的是通过对钛酸钡陶瓷掺杂改性,做到以下三方面:1)提高钛酸钡基陶瓷材料的居里温度,使之能适应更高的环境温度;2)扁平化钛酸钡基陶瓷材料的居里峰,使之在工作温度范围内,介温稳定性符合X8R特性要求;3)复合施主和受主掺杂,提高钛酸钡基陶瓷材料的抗还原性能,使之适应以金属镍作内电极。
本发明采用如下的技术方案:
一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:
1.6-2.5份的铌钴化合物;
0.722-1.805份的钛铋钠化合物BNT;
1.25-2.0份的锆钙化合物;
1-3份的玻璃粉;
0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合;
0.1-0.25份的碳酸锰。
进一步地,所述铌钴化合物中Nb/Co原子摩尔比为3-5。
进一步地,所述钛铋钠化合物化学式为Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3。
进一步地,所述锆钙化合物化学式为CaZrO3。
进一步地,所述玻璃粉由如下重量份数的成分制得:35-42份Bi2O3、18-24份ZnO、8-12份TiO2、6-10份H3BO3、8-12份SiO2和10-14份Ba(OH)2。
上述一种高介电常数X8R型MLCC介质材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将Nb2O5与Co2O3、CoO和Co3O4三者中的至少一种按Nb/Co原子摩尔比3-5进行配比、称量、混合、过筛并于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物;
(2)按化学式Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3的要求对TiO2、Na2O、Bi2O3进行配比,制得Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3;
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