[发明专利]光刻对准参数预测方法以及光刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种光刻对准参数预测方法以及采用了该光刻对准参数预测方法的光刻方法。

背景技术

在半导体晶圆加工工艺中，返工率对于光刻制程来说是非常重要的指标。大约13%的返工晶圆是由于新产品试产时使用了不合适的光刻对准参数导致量测超标。

自动反馈系统被广泛地应用在光刻制程中用来更好的控制光刻对准参数。但是对于一个产品种类很多的工厂，仍然存在很多问题。具体地说，这是因为量少的产品无法提供足够的数据量去准确地预测下一个产品的光刻对准参数；而且，这种情况对于新产品亦是一样。

但是，如果无法准确地预测新产品的光刻对准参数，那么第一批（首批）试产的产品将会被返工。

因此，希望能够提供一种能够准确地预测新产品的光刻对准参数的模型，由此将使得新产品试产的成功率大大地提高的光刻对准参数预测方法以及相应的光刻方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种光刻对准参数预测方法以及采用了该光刻对准参数预测方法的光刻方法，其能够准确地预测新产品的光刻对准参数的模型，由此将使得新产品试产的成功率大大地提高。

根据本发明的第一方面，提供了一种光刻对准参数预测方法，其包括：获取与当前层次类似的同一产品其它层次在该机器上的光刻对准参数的第一加权平均值及第一预测准确度参数；获取与当前产品相同技术平台的其他产品相同层次在该机器上的光刻对准参数的第二加权平均值及第二预测准确度参数；获取该机器的光刻对准日常监测的结果值及第三预测准确度参数；以及如果当前预测的新产品不需要量测光刻对准值，则将光刻对准预测值直接赋值为0。

优选地，所述光刻对准参数预测方法还包括：如果第一预测准确度参数高于给定的阈值，则将光刻对准预测值设置为等于：第一加权平均值-结果值×第三预测准确度参数。

优选地，所述光刻对准参数预测方法还包括：如果第一预测准确度参数低于给定的阈值，则将光刻对准预测值设定为等于：(第一加权平均值×第一预测准确度参数+第二加权平均值×(1-第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)/(第一预测准确度参数+(1-第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)-结果值×第三预测准确度参数。

优选地，给定的阈值是可变常数。

优选地，第一加权平均值及其第一预测准确度参数所使用的数据库是该产品在该机器上一定时间段内所有相似层次的对准参数的理想值；其中，理想值是实际使用的对准参数减去对准量测值所得到的结果值。

优选地，对准到同一前层的所有层次为相似层次，并且所有金属层为相似层次，所有孔层为相似层次。

优选地，针对第二加权平均值，将该机器上所有产品层次的对准参数归为四类，如果仅有当前机器匹配，则该数据为第一类；如果仅有当前机器以及层次匹配，则该数据归为第二类；如果仅有当前机器、层次、技术平台匹配，则该数据归为第三类；类似的，如果当前机器、层次、技术平台和前层机器均匹配，则该数据归为第四类。

优选地，根据所述四类或者所述四类的一部分来计算第二加权平均值。

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明第一方面所述的光刻对准参数预测方法的光刻方法。

本发明提供了一个新的模型，该模型基于量大的成熟产品来准确地预测新产品的对准参数；并且，由此将使得新产品试产的成功率大大地提高。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明实施例的对准参数预测值的结构。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的HS矢量的分类情况示意图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的HS矢量的分类情况说明示图。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的CE矢量的分类情况示意图。

图5示意性地示出了根据本发明实施例的CE矢量的分类情况说明示图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

根据本发明，提供了一种光刻对准参数预测方法，其包括：