[发明专利]一种基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法无效

专利信息
申请号: 201210142175.7 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102674325A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 赵梦强;张强;魏飞;田桂丽 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 层状 羟基 金属 氢氧化物 制备 石墨 方法
【权利要求书】:

1.一种基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:

1)将层状双羟基金属氢氧化物作为催化剂前驱体放入反应器中;其中所述层状双羟基金属氧化物片的化学组成通式为M2+1-xM3+x(OH)2An-x/n·mH2O;

其中:M2+与M3+的摩尔比值为1~4,x为M3+与(M2++M3+)的摩尔比值;m为层间水分子的个数;M2+为Mg2+、Ca2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+和Cu2+中的一种或几种,M3+为Al3+、Co3+、Fe3+和Ru3+中的一种或几种,An-为n价阴离子,对应的阴离子为Cl-、OH-、NO3-、SO42-和CO32-中的一种或几种,对应的阴离子还包括有机阴离子以及含Mo或W的同多酸或杂多酸阴离子;

2)将层状双羟基金属氢氧化物升温至预处理温度进行煅烧预处理,所述的预处理温度为300~1200°C;

3)在反应器中通入碳源、氢气与载气的混合气体,其中氢气:碳源气体:载气的体积比为0~2∶1∶0.1~6,在600~1200°C的反应温度下进行反应,通过化学气相沉积过程,在层状双羟基金属氧化物片上沉积石墨烯;

4)将化学气相沉积后获得的产物进行提纯,获得高纯度的石墨烯。

2.按照权利要求1所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述的反应过程的空速为1~5000hr-1,气速为0.01~5m/s。

3.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:所述的反应器采用固定床、移动床、流化床或它们的组合。

4.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤2)煅烧预处理气氛为氮气、氩气和氦气中的一种或者几种的混合物。

5.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述碳源采用七碳以下的低碳气体、甲醇、乙醇、苯、环己烷、正己烷、甲苯、和二甲苯中的一种或者几种的混合物。

6.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述的载气为氮气、氩气、氦气中的一种或者几种的混合物。

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