[发明专利]一种基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法无效
申请号: | 201210142175.7 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN102674325A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 赵梦强;张强;魏飞;田桂丽 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 层状 羟基 金属 氢氧化物 制备 石墨 方法 | ||
1.一种基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:
1)将层状双羟基金属氢氧化物作为催化剂前驱体放入反应器中;其中所述层状双羟基金属氧化物片的化学组成通式为M2+1-xM3+x(OH)2An-x/n·mH2O;
其中:M2+与M3+的摩尔比值为1~4,x为M3+与(M2++M3+)的摩尔比值;m为层间水分子的个数;M2+为Mg2+、Ca2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+和Cu2+中的一种或几种,M3+为Al3+、Co3+、Fe3+和Ru3+中的一种或几种,An-为n价阴离子,对应的阴离子为Cl-、OH-、NO3-、SO42-和CO32-中的一种或几种,对应的阴离子还包括有机阴离子以及含Mo或W的同多酸或杂多酸阴离子;
2)将层状双羟基金属氢氧化物升温至预处理温度进行煅烧预处理,所述的预处理温度为300~1200°C;
3)在反应器中通入碳源、氢气与载气的混合气体,其中氢气:碳源气体:载气的体积比为0~2∶1∶0.1~6,在600~1200°C的反应温度下进行反应,通过化学气相沉积过程,在层状双羟基金属氧化物片上沉积石墨烯;
4)将化学气相沉积后获得的产物进行提纯,获得高纯度的石墨烯。
2.按照权利要求1所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述的反应过程的空速为1~5000hr-1,气速为0.01~5m/s。
3.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:所述的反应器采用固定床、移动床、流化床或它们的组合。
4.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤2)煅烧预处理气氛为氮气、氩气和氦气中的一种或者几种的混合物。
5.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述碳源采用七碳以下的低碳气体、甲醇、乙醇、苯、环己烷、正己烷、甲苯、和二甲苯中的一种或者几种的混合物。
6.按照权利要求1或2所述基于层状双羟基金属氢氧化物制备石墨烯的方法,其特征在于:步骤3)中所述的载气为氮气、氩气、氦气中的一种或者几种的混合物。
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