[发明专利]工业级四氯化硅的处理工艺有效
| 申请号： | 201210141828.X | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102642839A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 周玲英 | 申请（专利权）人： | 特变电工新疆硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工业 氯化 处理 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.工业级四氯化硅的处理工艺，其特征在于，工艺步骤如下：先将粗四氯化硅进入脱重塔（1），脱重塔塔顶采出物作为初级产品进入缓冲罐（10），脱重塔塔釜采出物为高沸点杂质和固体杂质；缓冲罐（10）中的初级产品再进入脱轻塔（2），脱轻塔塔顶的气相物料作为热源进入脱重塔（1）的再沸器（4），再经过冷凝器（8）冷却，脱轻塔塔釜采出物通过压差进入二级脱重塔（3）；二级脱重塔塔釜采出物回流作为脱重塔（1）的进料，二级脱重塔塔顶采出物即为最终产品。
2.根据权利要求1所述工业级四氯化硅的处理工艺，其特征在于：所述脱重塔的塔釜温度为75～120℃，塔顶温度为65～100℃，回流比为（6～24）：1。
3.根据权利要求1所述工业级四氯化硅的处理工艺，其特征在于：所述脱轻塔的塔釜温度为90～135℃，塔顶温度为60～100℃，回流比为（35～180）：1。
4.根据权利要求1所述工业级四氯化硅的处理工艺，其特征在于：所述二级脱重塔的塔釜温度为75～110℃，塔顶温度为65～105℃，回流比为（6～18）：1。
5.根据权利要求1所述工业级四氯化硅的处理工艺，其特征在于：所述脱轻塔塔顶压力为0.2～0.45MPa，所述二级脱重塔塔顶压力为0.08～0.3MPa。
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