[发明专利]一种Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210139480.0 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102653830A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 姜大强;陈岩;崔立山;郝世杰;茹亚东;蒋小华 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学(北京) |
| 主分类号： | C22C14/00 | 分类号： | C22C14/00;C22C30/00;C22C32/00;C22F1/18;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;韩蕾 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ti sub si tini 记忆 合金 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料，以该记忆合金复合材料的总量计，其包括以下成分：原子百分比为6-33％的Si元素，以原子百分比计Ti、Si、Ni三元素满足(50+x-y)∶3x∶(50-4x+y)，其中x＝2-11，y＝0-3，Ti、Ni和Si三种元素的原子百分数之和为100％。
2.如权利要求1所述的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料，其中，当x＝10/3时，所述Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料为共晶型复合材料；当x＞10/3时，所述Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料为过共晶型复合材料；当x＜10/3时，所述Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料为亚共晶型复合材料。
3.如权利要求1所述的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料，其中，所述复合材料由TiNi相和Ti5Si3相组成。
4.如权利要求1所述的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料，其中，所述复合材料还含有1-5at.％的Fe元素，并且，所述Fe元素的量计入所述Ni元素的原子百分比中。
5.如权利要求1所述的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料，其中，所述复合材料为铸锭。
6.权利要求1-5所述的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料的制备方法，其包括以下步骤：
按Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料的成分配比选取纯度在99wt.％以上的单质硅、单质钛、单质镍；
将单质硅、单质钛、单质镍放入真空度高于10-1Pa或惰性气体保护的熔炼炉中，熔炼成Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料；
当所述Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料含有Fe元素时，将纯度在99wt.％以上的单质铁与单质钛、单质硅、单质镍一起放入熔炼炉中。
7.如权利要求6所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：将熔炼得到的Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料浇铸成铸锭。
8.如权利要求7所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在真空度高于10-1Pa的真空中或惰性气体保护中对所述铸锭进行均匀化退火。
9.如权利要求8所述的制备方法，其中，所述均匀化退火温度为800-1050℃，时间为5-60h。
10.如权利要求8所述的制备方法，其中，所述均匀化退火温度为950℃，时间为10h。
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