[发明专利]一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的制备方法有效
| 申请号： | 201210139332.9 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102674848A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 何新波;梅敏;曲选辉;胡海峰;张玉娣;陈思安;李广德;张长瑞 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/565 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 液气相 沉积 工艺 sic 陶瓷 先驱 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于：
（1）聚二甲基硅烷的热解：将聚二甲基硅烷粉末置于装有冷凝管和接收装置的三口烧瓶中，在N2保护下加热到一定温度保温分解，最终得到液态的碳硅烷；其中保温温度为350～450°C，保温时间为0.5～10h；
（2）碳硅烷的热解：首先将（1）中的液态的碳硅烷进行过滤，得到纯净的碳硅烷，然后将其置于常压反应釜中，在N2保护下加热到一定温度保温分解，最终得到液态的碳硅烷先驱体粗成品；其中保温温度为450～500°C，保温时间为1～20h；
（3）液态碳硅烷先驱体粗成品的分馏：液态的碳硅烷先驱体粗成品经过过滤后，将滤液置于常压反应釜中，在N2气氛下加热至一定温度，保温一段时间，在真空下进行减压蒸馏，收集沸点在100℃～200℃之间的馏分，即得到SiC陶瓷先驱体——液态碳硅烷；其中保温温度为160～200°C，保温时间为1～3h。
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