[发明专利]显示装置和电子设备无效
申请号: | 201210135705.5 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN102779829A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 多田罗智史;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置和电子设备。特别地,本发明涉及包括电光元件的像素按矩阵配置的平板(平面)显示装置以及具有该显示装置的电子设备。
背景技术
作为平板显示装置,有机EL(电致发光)显示装置、LCD(液晶显示器)装置、PDP(等离子体显示面板)装置等已广泛应用。
在这样的显示装置中,包括电光元件和晶体管的像素(像素电路)在基板(面板)上按矩阵配置。此外,显示装置中的像素,例如有机EL显示装置中的像素,除了电光元件和晶体管之外,还可以包括诸如存储电容器、辅助电容器的电容元件(例如,参见日本未审查专利申请公开第2008-51990号)。
发明内容
配置有包括电容元件的像素的显示装置,例如日本未审查专利申请公开第2008-51990号所披露的有机EL显示装置,一般采用如下构造,将相对的金属层之间的绝缘膜用作电介质从而在其间形成电容元件。如果要在该像素内制造的电容元件可以在除了这些金属层之间的区域以外的区域中形成,则可以提高像素的截面结构的自由度。
因此,期望能够提供这样的显示装置,其中,在像素内制造的电容元件形成在除了金属层之间的区域以外的区域,从而可以提高像素的截面结构的自由度,并且能够提供具有该显示装置的电子设备。
根据本发明的实施方式,提供了一种显示装置,其具有包括电光元件和晶体管的像素。每个像素具有在与晶体管的栅电极同一层的金属层与形成有晶体管的源区和漏区的半导体层之间通过向金属层施加电压而形成的电容元件。该显示装置可以在各种电子设备中用作显示装置。
当向在形成与晶体管的栅电极同一层的金属层与形成有晶体管的源区和漏区的半导体层的结构中的金属层施加相对于半导体层的电压更高的电压时,在半导体层的表面形成沟道,并且利用栅绝缘膜作为电介质形成电容器。即,在向金属层施加电压时,在半导体层的表面形成沟道,利用在金属层和半导体层之间的栅绝缘膜形成电容器。将该电容器用作要制作为像素的电容元件使得电容元件形成在除了金属层之间的区域以外的区域中。
根据本发明,因为要在像素内制作的电容元件可以形成在除了金属层之间的区域以外的区域中,所以能够提高像素的截面结构的自由度。
附图说明
图1是示出了应用本发明实施方式的有源矩阵型有机EL显示装置的基本构造的概要的系统框图。
图2是示出了一个像素(像素电路)的具体电路构造的一个实例的电路图。
图3是示出了应用本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的定时波形图。
图4A至图4D是示出了应用本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的示图(部分1)。
图5A至图5D是示出了施加本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的示图(部分2)。
图6A是示出了由驱动晶体管的阈值电压变化所导致的问题的示图,以及图6B是示出了驱动晶体管的迁移率变化所导致的问题的示图。
图7是示出了具有顶栅结构的晶体管的截面结构的截面图。
图8A至图8C示出了为何对金属层施加电压以在金属层与半导体层之间形成电容元件。
图9是示出了根据本发明实施方式的像素的截面结构的截面图。
图10是示出了根据第一实施方式的像素电路的电路图。
图11示出了用于对辅助电容器的第二电极外部施加恒定电压的面板布局示例。
图12是示出了当相对于半导体层的电位金属层的电位降低时亮度降低的机制的定时波形图;
图13示出了半导体电容的电容特性;
图14是示出了像素中有机EL元件的操作点变化导致亮度不均匀的机制的定时波形图;
图15是示出了第二实施方式的定时波形图;
图16是示出了根据第二实施方式的示例性驱动定时的定时波形图表;
图17是示出了用于实现根据第二实施方式的示例性驱动定时的面板构造的实例的系统框图;
图18是根据第二实施方式的修改例的像素电路的电路图;
图19是示出了应用本发明实施方式的电视机的外观的透视图;
图20A和图20B分别是示出了应用本发明实施方式的数码相机的外观的前透视图和后透视图;
图21是示出了应用本发明实施方式的笔记本式个人计算机的外观的透视图;
图22是示出了应用本发明实施方式的视频摄像机的外观的透视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的