[发明专利]适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极无效
| 申请号： | 201210135370.7 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102709431A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨旅云;张国龙;赵明;田光磊;吴东平;李浩;陈晓鹏;常志伟 | 申请（专利权）人： | 施科特光电材料(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;曾人泉 |
| 地址： | 215341 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 大功率 gan led 芯片 复合 电极 | ||
1. 一种适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，含有P面电极和N面电极，其特征在于，所述P面电极为含有ITO薄膜（1）、P面金属焊盘（2）和P面ITO条形电极（3）的P面复合电极，所述ITO薄膜（1）覆盖在P型氮化镓表面，所述P面金属焊盘（2）设置在P型GaN表面的一端，所述P面ITO条形电极（3）与所述P面金属焊盘（2）连接并由P面金属焊盘（2）向另一端延伸；所述N面电极为含有N面金属焊盘（4）、N面ITO条形电极（5）的N面复合电极，所述N面金属焊盘（4）设置在N面一端的中间，所述N面ITO条形电极（5）与所述N面金属焊盘（4）连接并由N面金属焊盘（4）两端沿N面边缘向N面的另一端延伸至靠近P面金属焊盘（2）的一端。
2. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，其特征在于，所述的P面ITO条形电极（3）为条状或者辐射状的结构。
3. 根据权利要求1或2所述的适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，其特征在于，所述的P面ITO条形电极（3）采用与N面ITO条形电极（5）相同或者不同的材料。
4. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，其特征在于，所述的P面ITO条形电极（3）和N面ITO条形电极（5）为由导电性能优于ITO薄膜的导电材料制作的条形电极。
5. 根据权利要求4所述的适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，其特征在于，所述导电性能优于ITO薄膜的导电材料为二氧化锡质量百分比大于等于10%的ITO材料。
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