[发明专利]盖板及其制造方法、太阳能玻璃、光伏器件有效

专利信息
申请号: 201210135182.4 申请日: 2012-04-28
公开(公告)号: CN102655178A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 罗爱云;丁君;史伟杰;朴昇焕 申请(专利权)人: 法国圣戈班玻璃公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;陈炜
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 盖板 及其 制造 方法 太阳能 玻璃 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及光学材料领域,尤其涉及一种盖板及其制造方法、太阳能玻璃、光伏器件。

背景技术

玻璃具有透明、强度高、不透气的特点,在日常环境中呈化学惰性,也不会与生物起作用,因此用途非常广泛。常见的玻璃包括汽车玻璃、平板玻璃、保温玻璃等。

玻璃还应用于光伏器件中,用作光伏器件中太阳能电池的盖板。参考图1,示出了现有技术光伏器件一实施例的示意图。所述光伏器件包括:基底11;位于基底11上的粘合层12,所述粘合层12中还设置有多个太阳能电池13,本实施例中所述太阳能电池13为晶硅电池;盖板玻璃14。所述基底11、粘合层12和盖板玻璃14构成太阳能电池多层结构。

光伏器件工作时,光投射至盖板玻璃14,之后透过所述盖板玻璃14到达粘合层12,处于粘合层12中的太阳能电池13将接收到的光能转换为电能,以实现光伏器件的功能。在太阳能电池13将光转换为电信号后,所述太阳能电池13会积累大量负电荷,所述太阳能电池13呈负电势。

为了使用安全,所述光伏器件还设置有包覆于太阳能电池多层结构端部的边框15,所述边框15与地端相连,或者所述边框15与一低电势的电源电压相连。这样,人在接触所述光伏器件时,接触到边框15不会发生触电危险。

在光伏器件的使用过程中,边框15和太阳能电池13之间存在电势差,所述电势差可引起漏电流的发生,最终导致光伏器件的功率衰减(Potential Induced Degradation,PID),影响光伏器件的性能,如何减小PID是本领域技术人员研究的热点。

在“26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition,5-8Setember 2011,Hamburg,Germany”中,Simon Koch等人发表了名为“POLARIZATION EFFECTS AND TESTS FOR CRYSTALLINE SILICON CELLS”的文章,Simon Koch等人认为盖板玻璃中的碱金属离子等金属阳离子是造成PID问题的诱因之一。

下面结合参考图1,说明盖板玻璃中的金属阳离子造成PID问题的原因。在光伏器件中,所述盖板玻璃14通常采用钠钙玻璃,钠钙玻璃中包含多种金属阳离子,例如Na+等碱金属离子、Ca2+等碱土金属离子和Fe3+等其他金属阳离子。由于边框15接地或与一低电势的电源电压相连,而所述太阳能电池13呈负电势,所述边框15的电势高于所述太阳能电池13的电势,因此在光伏器件中形成方向自边框15至太阳能电池13的电场(如图1中箭头所示方向)。在所述盖板玻璃14中,所述电场的方向自上至下。

钠钙玻璃中的金属阳离子在所述自上至下电场的作用下会朝向太阳能电池13运动。所述金属阳离子迁移到太阳能电池13的表面或者进入太阳能电池13内部,将引起太阳能电池13性能的下降,从而造成PID问题,进而造成光伏器件性能的下降。

发明内容

本发明解决的技术问题是防止或延缓诸如光伏器件等的工作器件的性能下降。

为了解决上述问题,本发明提供一种盖板,适于覆盖工作器件,所述工作器件在盖板形成有电场,所述盖板包括:透光基体,所述透光基体具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面邻接于所述工作器件;阻挡层,位于所述透光基体的第一表面,用于阻挡所述透光基体内物质因所述电场作用而逸出,以抑制所述工作器件的性能退化;抗反射层,位于所述透光基体的第二表面,用于减少透光基体第二表面上入射光的反射。

可选地,所述阻挡层为透光绝缘材料。

可选地,所述阻挡层的光透过率大于或等于90%。

可选地,所述阻挡层的材料为二氧化硅,或者,所述阻挡层的材料为二氧化硅与氧化铝、氧化锆、氧化铪、氧化钽或氧化钛中的一种或多种的组合。

可选地,所述阻挡层的厚度在20~250nm的范围内。

可选地,所述阻挡层的厚度在20~50nm的范围内。

可选地,所述阻挡层的厚度为20nm、30nm或40nm。

可选地,所述阻挡层的厚度在50~150nm的范围内。

可选地,所述阻挡层的厚度为80nm、100nm、120nm或150nm。

可选地,所述阻挡层的材料为二氧化硅掺杂氧化铝,所述阻挡层的厚度为100nm。

可选地,所述抗反射层为单层结构。

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