[发明专利]太阳能电池模块、电子装置及太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关一种太阳能电池模块，且特别有关一种具有二极管旁通电路的太阳能电池模块。

背景技术

近年来，太阳能电池模块已广泛地应用于可携式电子装置与大楼的屋顶及外墙。太阳能电池模块通常具有复数个太阳能电池。当太阳能电池模块中的其中一个太阳能电池被遮蔽时，由于阴影效应会导致电力无法正常输出。此外，受遮蔽的太阳能电池还有可能产生高热，而造成太阳能电池模块损坏。习知解决太阳能电池阴影效应的方法，是在每一太阳能电池旁加装二极管，在太阳能电池无法提供正常电力的时候，提供另一个通过二极管的电流路径，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。

图1绘示现有太阳能电池模块100未被遮蔽时的示意图。太阳能电池模块100包含太阳能电池110与二极管130。导线120电性耦接于所有太阳能电池110，且二极管130通过导线132与太阳能电池110并联。当太阳140照射太阳能电池模块100时，由于太阳能电池110未被遮蔽，因此电流I1可沿导线120流动。

图2绘示图1的现有太阳能电池模块100部分被遮蔽时的示意图。当其中一个太阳能电池110被乌云150遮蔽时，由于被遮蔽的太阳能电池110无法提供正常电力，此时电流I2可不经被遮蔽的太阳能电池110而通过导线132通过二极管130，使太阳能电池模块100能持续工作而不损坏。

然而，由于二极管130占有太阳能电池模块100的面积，因此在太阳能电池模块100设计上，设计者可能会为了设置二极管130而设置较小面积的太阳能电池110，使输出的电力降低。或者，增加太阳能电池模块100的面积，而提高材料的成本。此外，由于二极管130具有至少1mm的厚度，设计者可能为了提高太阳能电池模块100的平整度，而增加整体太阳能电池模块100的厚度。因此，现有太阳能电池模块100不利于可携式电子装置的应用。另一方面，二极管130设置于太阳能电池模块100的工艺并无法省略，而增加了制造的成本。

发明内容

本发明的一技术态样为一种太阳能电池模块。

根据本发明一实施方式，一种太阳能电池模块包含第一太阳能电池与第二太阳能电池。第一太阳能电池包含第一金属基板、第一光电转换层、第一上电极层、第一P-N接合半导体与第一下电极层。第二太阳能电池包含第二金属基板、第二光电转换层、第二上电极层、第二P-N接合半导体与第二下电极层。第一金属基板具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。第一光电转换层位于第一金属基板与第一表面相同的一侧。第一上电极层位于第一光电转换层上。第一P-N接合半导体位于第一金属基板与第二表面相同的一侧。第一下电极层位于第一P-N接合半导体相对于第一金属基板的对侧。第二金属基板具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。第二光电转换层位于第二金属基板与第一表面相同的一侧。第二上电极层位于第二光电转换层上，且电性耦接第一金属基板。第二P-N接合半导体位于第二金属基板与第二表面相同的一侧。第二下电极层位于第二P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。

其中，该第一光电转换层包含：一第一P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上；一第一I型半导体层，位于该第一P型半导体层上；以及一第一N型半导体层，位于该第一I型半导体层上。

其中，该第一P-N接合半导体包含：一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；以及一第二P型半导体层，位于该第二N型半导体层上，且位于该第二N型半导体层与该第一下电极层之间。

其中，该第二光电转换层包含：一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧；一第二I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及一第三N型半导体层，位于该第二I型半导体层上。

其中，该第二P-N接合半导体包含：一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；以及一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第二下电极层之间。

其中，该第一P-N接合半导体包含：一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第二N型半导体层；以及一第二P型半导体层，位于该第一绝缘体上，且位于该第一绝缘体与该第一下电极层之间。