[发明专利]太阳能电池模块、电子装置及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池模块，其特征在于，包含：

一第一太阳能电池，包含：

一第一金属基板，具有分别位于相反侧的一第一表面与一第二表面；

一第一光电转换层，位于该第一金属基板与该第一表面相同的一侧；

一第一上电极层，位于该第一光电转换层上；

一第一P-N接合半导体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；以及

一第一下电极层，位于该第一P-N接合半导体相对于该第一金属基板的对侧；以及

一第二太阳能电池，包含：

一第二金属基板，具有分别位于相反侧的一第一表面与一第二表面；

一第二光电转换层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧；

一第二上电极层，位于该第二光电转换层上，且电性耦接该第一金属基板；

一第二P-N接合半导体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；以及

一第二下电极层，位于该第二P-N接合半导体相对于该第二金属基板的对侧，且电性耦接该第一金属基板。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一光电转换层包含：

一第一P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上；

一第一I型半导体层，位于该第一P型半导体层上；以及

一第一N型半导体层，位于该第一I型半导体层上。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含：

一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；以及

一第二P型半导体层，位于该第二N型半导体层上，且位于该第二N型半导体层与该第一下电极层之间。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二光电转换层包含：

一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧；

一第二I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及

一第三N型半导体层，位于该第二I型半导体层上。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二P-N接合半导体包含：

一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；以及

一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第二下电极层之间。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含：

一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；

一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第二N型半导体层；以及

一第二P型半导体层，位于该第一绝缘体上，且位于该第一绝缘体与该第一下电极层之间。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二P-N接合半导体包含：

一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；

一第二绝缘体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第四N型半导体层；以及

一第四P型半导体层，位于该第二绝缘体上，且位于该第二绝缘体与该第二下电极层之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一金属基板与该第二金属基板的材质选自由金、银、铜、铁、锡、铟、铝及铂所组成的群组中的一种材质；该第一光电转换层欧姆接触该第一金属基板的该第一表面，该第一P-N接合半导体欧姆接触该第一金属基板的该第二表面；该第二光电转换层欧姆接触该第二金属基板的该第一表面，该第二P-N接合半导体欧姆接触该第二金属基板的该第二表面；该第一上电极层、该第一下电极层、该第二上电极层与该第二下电极层的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物；该第一光电转换层与该第二光电转换层的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓或聚合物；该第一P-N接合半导体与该第二P-N接合半导体的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或砷化镓。