[发明专利]一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法有效
| 申请号： | 201210129620.6 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103374750A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 sic 晶体 籽晶 固定 方法 | ||
1.一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于包括，
将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；
将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。
2.根据权利要求1所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，使所述环形连接件的外围尺寸与所述籽晶晶片的外围尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述环形连接件的厚度为2~10mm。
4.根据权利要求1所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述环形连接件的宽度为1~10mm。
5.根据权利要求1所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述籽晶托和环形连接件的材料为包括石墨、钽在内的耐高温材料。
6.根据权利要求1所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，还通过粘结剂或机械方式使所述连接件可靠固定于所述籽晶托。
7.根据权利要求1或6所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，还包括在使用粘结剂粘接后的固化处理过程。
8.根据权利要求7所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述固化处理的固化温度为120-800℃、固化处理时间为2-12h。
9.根据权利要求1或6所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述粘结剂为石墨胶、食用白糖、AB胶或502胶。
10.根据权利要求6所述的PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于，所述机械方式是指通过使所述连接件和籽晶托开槽部分的尺寸匹配以使所述连接件套装到所述籽晶托上后两者通过紧固机械力和摩擦力固定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所，未经上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210129620.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
