[发明专利]一种太阳能电池及其形成方法有效
申请号: | 201210124662.0 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103367509B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请(专利权)人: | 聚日(苏州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人: | 马佑平 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
太阳能电池阵列,包括并列设置的多个独立的太阳能电池单元,每个电池单元包括第一半导体层、位于下面的第二半导体层,分别位于第一半导体层上表面、以及第二半导体层下表面的上、下电极;
上导线组,置于所述太阳能电池阵列上方,并贯穿所述多个电池单元的每一个;
下导线组,置于所述太阳能电池阵列下方,贯穿所述多个电池单元的每一个并与所述上导线组间隔设置;
导电胶,在所述上、下导线组和太阳能电池阵列之间,所述导电胶包裹所述每一个太阳能电池单元的上、下电极;
所述上、下导线组的导线在与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更宽的宽度,并在不与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更厚的厚度;
所述电极线还具有用于提高与导线接触部分的接触面积的键合板。
2.根据权利要求1的太阳能电池,其中:所述太阳能电池单元具有包裹所述电池单元的绝缘层。
3.根据权利要求1的太阳能电池,其中:所述太阳能电池单元的宽度在0.2mm到4mm之间。
4.根据权利要求1的太阳能电池,其中:所述上、下导线组的导线具有一致的宽度。
5.根据权利要求4的太阳能电池,其中:所述导电胶覆盖整个所述导线的内表面。
6.根据权利要求4的太阳能电池,其中:所述导电胶仅覆盖电极通过部分的导线的内表面。
7.一种太阳能电池的形成方法,包括如下步骤:
a、提供上导线组,在所述上导线组的仅内表面覆盖导电胶,提供上导 线组的导线在与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更宽的宽度,在并在不与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更厚的厚度;
b、提供包含并列设置的多个独立的太阳能电池单元的太阳能电池阵列,所述每个电池单元包括第一半导体层、位于下面的第二半导体层,位于第一半导体层上表面的上电极;
c、将所述太阳能电池阵列设置在所述上导线组上,使所述上导线组贯穿所述多个电池单元的每一个,其中所述上导线组覆盖导电胶的表面与所述太阳能电池单元的上电极接触;
d、在每个所述太阳能电池单元的第二半导体层的下表面形成下电极;
e、提供下导线组,在所述下导线组的仅内表面覆盖导电胶,提供下导线组的导线在与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更宽的宽度,在并在不与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更厚的厚度;
f、将所述太阳能电池阵列设置在所述下导线组上,使所述下导线贯穿所述多个电池单元的每一个并与所述上导线组间隔设置,其中所述下导线组覆盖导电胶的表面与所述太阳能电池单元下电极接触,其中,
所述步骤b和步骤d还包括:在所述上、下电极上形成用于提高与导线接触部分的接触面积的键合板。
8.根据权利要求7所述的形成方法,其中:所述步骤c或步骤f中还包括:烘干所述导电胶。
9.根据权利要求7所述的形成方法,其中:所述步骤a和步骤e中覆盖导电胶的步骤包括:用丝网印刷的方法在所述上、下导线组的整个内表面覆盖导电胶。
10.根据权利要求7所述的形成方法,其中:所述步骤a和步骤e中覆盖导电胶的步骤包括:对所述上、下导线组进行图案化覆盖导电胶,以在所述上、下导线组与太阳能电池单元的上、下电极通过的部分覆盖导电胶。
11.根据权利要求7所述的形成方法,还包括利用定型设备挤压所述上、下导线组的内表面的步骤,以使上、下导线组的导线在与太阳能电池单元交叠的部位具有比其他部位更宽的宽度,并在不与太阳能电池单元交 叠的部位具有比其他部位更厚的厚度。
12.根据权利要求11所述的形成方法,其中:所述步骤a和步骤e中覆盖导电胶的步骤包括:对所述上、下导线组进行图案化覆盖导电胶,以在所述上、下导线组与太阳能电池单元的上、下电极通过的部分覆盖导电胶。
13.根据权利要求7-12任意之一所述的形成方法,其中:所述方法还包括如下步骤:
f、截断所述上导线组一侧的端部以及截断所述下导线组另一侧的端部;
g、形成太阳能电池的输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的