[发明专利]有机发光二极管及包括其的显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括：

一基板；

一阴极配置于所述基板之上；

一电子注入层直接配置于所述阴极之上，其中所述电子注入层包括一低功函数金属层，以及一具有载子注入能力的金属复合层；

一发光层配置于所述电子注入层之上；以及

一阳极配置于所述发光层之上。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述低功函数金属层具有一功函数小于或等于4.0eV。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述低功函数金属层包括锂、钠、钾、铜、镁、钙、或其合金。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述具有载子注入能力的金属复合层为一具有载子注入能力的金属氧化物、金属卤化物、或其组合。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述具有载子注入能力的金属复合层包括氧化钼、氧化钨、氧化铼、碘化铜、氟化铜、氧化铁、氯化铁、氧化钒、或其组合。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述所述有机发光二极管更包括一n型掺杂的电子传输层，配置于所述电子注入层与所述发光层之间，其中所述n型掺杂的电子传输层经由以一掺杂物掺杂一电子传输材料而得。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述掺杂物为碱金属、碱金属氮化物、碱金属醋酸盐、碱金属碳酸盐、或碱金属硝酸盐。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述掺杂物为碱金属，且所述掺杂物的重量百分比介于1-20wt％之间，以所述n型掺杂的电子传输层的总重为基准。

9.如权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述掺杂物为碱金属氮化物、碱金属醋酸盐、碱金属碳酸盐、或碱金属硝酸盐，且所述掺杂物的重量百分比介于1-50wt％之间，以所述n型掺杂的电子传输层的总重为基准。

10.如权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述掺杂物为锂、氮化锂、醋酸锂、碳酸锂、或硝酸锂。

11.如权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述掺杂物为铯、氮化铯、醋酸铯、碳酸铯、或硝酸铯。

12.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述具有载子注入能力的金属复合层的厚度介于之间。

13.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管为下发光式有机发光二极管，且所述阴极为透明或半透明电极。

14.权利要求13所述的有机发光二极管，其特征在于，所述低功函数金属层的厚度介于之间。

15.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管为上发光式有机发光二极管，且所述阳极为透明或半透明电极。

16.权利要求15所述的有机发光二极管，其特征在于，所述低功函数金属层的厚度介于之间。

17.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管更包括：

一电子传输层配置于所述电子注入层与所述发光层之间；以及

一空穴传输层配置于所述发光层与所述阳极之间。

18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

多个的像素，其中每一像素包括：

如权利要求1所述的有机发光二极管；以及

一晶体管，与所述有机发光二极管耦接。

19.权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述晶体管为一n型晶体管，且所述晶体管的一漏极与所述有机发光二极管的阴极电性连结。