[发明专利]发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管制造方法，包括：

提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；

在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；

固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及

在发光二极管芯片上覆盖封装材料。

2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该第一电极及第二电极之间设有绝缘层，该基板在该第一电极、第二电极及绝缘层上形成固晶区域，该发光二极管芯片设置于该固晶区域内。

3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该基板包括多个固晶区域，该发光二极管芯片的数量为多个，第一电极及第二电极的数量为多对，每一发光二极管芯片及每一对第一电极及第二电极固定于各固晶区域内，相邻固晶区域由绝缘层隔开。

4.如权利要求3所述的发光二极管制造方法，其特征在于：具有多个遮挡部和多个沟槽，该多个遮挡部与该多个沟槽相间设置，每一遮挡部的底面积大于每一固晶区域的面积，并小于每一对第一电极及第二电极的最外侧边缘所定义的面积，每一沟槽的面积大于相邻固晶区域之间的绝缘层的面积。

5.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：具有多个遮挡部和多个沟槽，该多个遮挡部与该多个沟槽相间设置，该阻挡层呈盖体状，包括覆盖该发光二极管芯片上表面的上盖以及由该上盖向下延伸的包围该发光二极管芯片侧面的侧盖，该沟槽设置在每一阻挡部之间。

6.如权利要求3或5其中一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在基板上固定发光二极管芯片的步骤包括先将这些发光二极管芯片预先粘贴于蓝膜上，覆盖该蓝膜于该基板上，使发光二极管芯片对应各固晶区域，再去除该蓝膜的粘性使该发光二极管芯片贴设于各固晶区域内。

7.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：每一固晶区域为形成于相应一对第一电极、第二电极及位于该对第一电极及第二电极之间的凹陷。

8.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：去除蓝膜粘性的步骤包括使用紫外光线照射蓝膜，使发光二极管芯片从蓝膜上脱落。

9.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在发光二极管芯片从蓝膜上脱落之后还包括使用压合模具将发光二极管芯片热压合于固晶区域的第一电极及第二电极的步骤。

10.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该阻挡层由弹性材料制造。