[发明专利]一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法

权利要求书

1.一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：选用初始硅片（1）；

步骤二：将氮化物粉末烧结压制成氮化物陶瓷垫底（3）； 

步骤三：在所述初始硅片（1）或氮化物陶瓷垫底（3）上生成键合过渡层（2）；

步骤四：通过所述键合过渡层（2）将所述初始硅片（1）与氮化物陶瓷垫底（3）进行键合，得到所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料（4）；

步骤五：对所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料（4）进行剥离处理，得到基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅片（5）。

2.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，进一步包括：

步骤六：将所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅片（5）进行抛光处理。

3.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述初始硅片（1）为标准单晶硅片或多晶硅片，直径为2-12英寸，晶圆厚度符合固态技术协会标准。

4.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述步骤二中，所述氮化物粉末包括氮化铝、立方氮化硼；所述氮化物粉末通过粉末烧结压片机进行烧结压制，形成所述氮化物陶瓷垫底（3）。

5.如权利要求4所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述粉末烧结压片机的直径与所述初始硅片（1）的直径相同。

6.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述步骤三中生成所述键合过渡层（2）的方法包括旋涂玻璃方法、化学气相沉积方法、物理沉积方法、热氧化方法；所述键合过渡层（2）的厚度为1-100nm，所述键合过渡层（2）的材料包括二氧化硅、三氧化二铝。

7.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述步骤四中通过使用晶圆键合机完成所述初始硅片（1）与氮化物陶瓷垫底（3）的键合；所述键合包括疏水键合、亲水键合或等离子辅助键合。

8.如权利要求7所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，在所述步骤四中的键合后，还进一步包括热处理加固操作。

9.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述步骤五中，所述剥离方法包括注氢智能剥离方法或者研磨硅片的方法。

10.如权利要求1所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，所述步骤六中，所述抛光处理包括研磨处理、腐蚀处理或者化学机械抛光处理。