[发明专利]半导体器件的刻蚀方法

权利要求书

1.一种半导体器件的刻蚀方法，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底自下而上依次形成有低介电常数绝缘材料层、顶层氧化物层和氮化钛硬掩膜层；

在氮化钛硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，形成图案化的光阻胶层，以定义沟槽的位置；

以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化钛硬掩膜层，显露出顶层氧化物层；

其特征在于，该方法还包括：

对刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面进行预处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面进行预处理的方法包括：采用二氧化碳去除刻蚀氮化钛硬掩膜层时采用的氟元素。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，去除刻蚀氮化钛硬掩膜层时采用的氟元素的方法在干法刻蚀反应腔内进行，其中二氧化碳的流量为100～500标准立方厘米每分钟，反应腔内压力为10～100毫托，功率为100～500瓦，反应时间为10～300秒。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面进行预处理的方法包括：采用氮气在刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面形成氮基聚合物层；或者采用甲烷和氮气相结合在刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面形成碳氮基聚合物层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预处理在干法刻蚀反应腔内进行，其中甲烷或者氮气的流量为100～500标准立方厘米每分钟，反应腔内压力为10～100毫托，功率为100～500瓦，反应时间为10～300秒。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述甲烷和氮气的比例为：1∶1，或者1∶2，或者2∶1。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，对刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面进行预处理之后采用湿法清洗刻蚀之后的表面。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在湿法清洗之后该方法进一步包括采用氮气修复湿法清洗破坏的聚合物层表面。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮气的流量为100～500标准立方厘米每分钟，反应腔内压力为10～100毫托，功率为100～500瓦，反应时间为10～300秒。