[发明专利]改进的背面照明图像传感器架构及其制造方法有效
申请号: | 201210117321.0 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN103311256A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | V.奥加涅相 | 申请(专利权)人: | 奥普蒂兹公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;李家麟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 背面 照明 图像传感器 架构 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器器件,包括:
衬底,其包括:
多个光电检测器,其中,所述多个光电检测器的第一部分每个具有比所述多个光电检测器的第二部分中的每个小的横向尺寸;
多个接触焊盘,其被电耦合到光电检测器;
多个滤色器,其每个被设置在光电检测器中的一个之上;
其中,所述多个光电检测器被配置为响应于通过滤色器入射的光产生电子信号。
2.权利要求1的图像传感器器件,其中:
所述多个光电检测器被以二维阵列布置在衬底中;
所述多个光电检测器的第一部分被接近于阵列的中心设置;
所述多个光电检测器中的第二个被接近于阵列的周界设置。
3.权利要求2的图像传感器器件,其中:
所述多个光电检测器的第三部分每个具有比所述多个光电检测器的第二部分中的每个小的横向尺寸;
所述多个光电检测器的第三部分每个具有比所述多个光电检测器的第一部分中的每个大的横向尺寸;
所述多个光电检测器的第三部分被设置在所述多个光电检测器的第一和第二部分之间。
4.权利要求2的图像传感器器件,其中,所述多个光电检测器的密度在阵列的中心处比在阵列的周界处大。
5.权利要求1的图像传感器器件,其中,光电检测器中的横向邻近的光电检测器被以遍及阵列基本上相同的间距相互隔开。
6.权利要求1的图像传感器器件,其中,所述衬底具有前和后相对表面,所述多个光电检测器是在前表面处形成的,并且所述多个接触焊盘是在前表面处形成的,其中,所述图像传感器器件还包括:
腔体,其延伸至背表面中并具有底面;
多个辅助腔体,每个延伸到底面且在光电检测器中的一个之上;以及
设置在辅助腔体中的吸收补偿材料,其中,所述吸收补偿材料具有与衬底的光吸收特性不同的光吸收特性;
其中,所述多个滤色器中的每一个被设置在腔体中或辅助腔体中的一个中。
7.权利要求6的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体中的吸收补偿材料的深度改变以针对所述多个光电检测器中的不同的光电检测器提供变化的光吸收量。
8.权利要求7的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体的深度改变。
9.权利要求7的图像传感器器件,其中:
所述多个滤色器包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器;
所述辅助腔体被设置在第一滤色器和第二滤色器下面;
在第一滤色器下面的吸收补偿材料的深度大于在第二滤色器下面的吸收补偿材料的深度。
10.权利要求9的图像传感器器件,其中,在第三滤色器下面没有设置辅助腔体。
11.权利要求10的图像传感器器件,其中,第一色彩是红色,第二色彩是绿色且第三色彩是蓝色。
12.权利要求1的图像传感器器件,其中,所述衬底具有前和后相对表面,所述多个光电检测器是在前表面处形成的,并且所述多个接触焊盘是在前表面处形成的,其中,所述图像传感器器件还包括:
多个辅助腔体,每个延伸到背表面且在光电检测器中的一个之上;以及
设置在辅助腔体中的吸收补偿材料,其中,所述吸收补偿材料具有与衬底的光吸收特性不同的光吸收特性;
其中,所述多个滤色器中的每一个被设置在背表面上或在辅助腔体中的一个中。
13.权利要求12的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体中的吸收补偿材料的深度改变以针对所述多个光电检测器中的不同的光电检测器提供变化的光吸收量。
14.权利要求13的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体的深度改变。
15.权利要求13的图像传感器器件,其中:
所述多个滤色器包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器;
所述辅助腔体被设置在第一滤色器和第二滤色器下面;
在第一滤色器下面的吸收补偿材料的深度大于在第二滤色器下面的吸收补偿材料的深度。
16.权利要求15的图像传感器器件,其中,在第三滤色器下面没有设置辅助腔体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的