[发明专利]改进的背面照明图像传感器架构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210117321.0 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN103311256A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: V.奥加涅相 申请(专利权)人: 奥普蒂兹公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;李家麟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 改进 背面 照明 图像传感器 架构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器器件,包括:

衬底,其包括:

       多个光电检测器,其中,所述多个光电检测器的第一部分每个具有比所述多个光电检测器的第二部分中的每个小的横向尺寸;

       多个接触焊盘,其被电耦合到光电检测器;

多个滤色器,其每个被设置在光电检测器中的一个之上;

其中,所述多个光电检测器被配置为响应于通过滤色器入射的光产生电子信号。

2.权利要求1的图像传感器器件,其中:

所述多个光电检测器被以二维阵列布置在衬底中;

所述多个光电检测器的第一部分被接近于阵列的中心设置;

所述多个光电检测器中的第二个被接近于阵列的周界设置。

3.权利要求2的图像传感器器件,其中:

所述多个光电检测器的第三部分每个具有比所述多个光电检测器的第二部分中的每个小的横向尺寸;

所述多个光电检测器的第三部分每个具有比所述多个光电检测器的第一部分中的每个大的横向尺寸;

所述多个光电检测器的第三部分被设置在所述多个光电检测器的第一和第二部分之间。

4.权利要求2的图像传感器器件,其中,所述多个光电检测器的密度在阵列的中心处比在阵列的周界处大。

5.权利要求1的图像传感器器件,其中,光电检测器中的横向邻近的光电检测器被以遍及阵列基本上相同的间距相互隔开。

6.权利要求1的图像传感器器件,其中,所述衬底具有前和后相对表面,所述多个光电检测器是在前表面处形成的,并且所述多个接触焊盘是在前表面处形成的,其中,所述图像传感器器件还包括:

腔体,其延伸至背表面中并具有底面;

多个辅助腔体,每个延伸到底面且在光电检测器中的一个之上;以及

设置在辅助腔体中的吸收补偿材料,其中,所述吸收补偿材料具有与衬底的光吸收特性不同的光吸收特性;

其中,所述多个滤色器中的每一个被设置在腔体中或辅助腔体中的一个中。

7.权利要求6的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体中的吸收补偿材料的深度改变以针对所述多个光电检测器中的不同的光电检测器提供变化的光吸收量。

8.权利要求7的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体的深度改变。

9.权利要求7的图像传感器器件,其中:

所述多个滤色器包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器;

所述辅助腔体被设置在第一滤色器和第二滤色器下面;

在第一滤色器下面的吸收补偿材料的深度大于在第二滤色器下面的吸收补偿材料的深度。

10.权利要求9的图像传感器器件,其中,在第三滤色器下面没有设置辅助腔体。

11.权利要求10的图像传感器器件,其中,第一色彩是红色,第二色彩是绿色且第三色彩是蓝色。

12.权利要求1的图像传感器器件,其中,所述衬底具有前和后相对表面,所述多个光电检测器是在前表面处形成的,并且所述多个接触焊盘是在前表面处形成的,其中,所述图像传感器器件还包括:

多个辅助腔体,每个延伸到背表面且在光电检测器中的一个之上;以及

设置在辅助腔体中的吸收补偿材料,其中,所述吸收补偿材料具有与衬底的光吸收特性不同的光吸收特性;

其中,所述多个滤色器中的每一个被设置在背表面上或在辅助腔体中的一个中。

13.权利要求12的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体中的吸收补偿材料的深度改变以针对所述多个光电检测器中的不同的光电检测器提供变化的光吸收量。

14.权利要求13的图像传感器器件,其中,所述辅助腔体的深度改变。

15.权利要求13的图像传感器器件,其中:

所述多个滤色器包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器;

所述辅助腔体被设置在第一滤色器和第二滤色器下面;

在第一滤色器下面的吸收补偿材料的深度大于在第二滤色器下面的吸收补偿材料的深度。

16.权利要求15的图像传感器器件,其中,在第三滤色器下面没有设置辅助腔体。

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