[发明专利]大尺寸发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物发光器件，包含：

衬底；

在该衬底上形成的由导电线构成的导电网格，其中该导电网格的导电线之间距离在10-150微米之间，导电线厚度在0.5-2微米之间，且导电线的宽度在5-15微米之间；

在所述衬底和导电网格上形成的N型层，其中该N型层与导电网格是欧姆接触；

P型层；以及

夹在所述N型层和P型层之间的激活层。

2.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括与所述导电网格直接接触的N电极，其中该N电极包括接触盘和环绕LED平台的指状延伸。

3.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述N型层的底部采用比上部更高的硅掺杂。

4.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括在所述衬底上形成的N型样板层，其中所述导电网格位于样板层上并与之欧姆接触，N型层则位于样板层和导电网格上。

5.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括位于所述导电网格上的保护层，其中该保护层是由氧化硅、氮化硅或氧化钛构成。

6.如权利要求5所述的III族氮化物发光器件，其中所述保护层包含一对或多对氧化硅/氧化钛层，形成分布布拉格反射器，对可见光的反射率高于95％。

7.如权利要求4所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是以样板层上的导电线构成，或者是以样板层的沟壑中的导电线构成。

8.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是以衬底上的导电线构成，或者是以衬底的沟壑中的导电线构成。

9.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是二维方形网格、或具有一内角为60度的平行四边形网格，或六边形网格，并且均匀分布于整个衬底。

10.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是由氮化钪(ScN)、氮化钇(YN)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化钽(TaN)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)构成。

11.一种用于III族氮化物发光器件的晶圆衬底，包括：

衬底；以及

在该衬底上形成的由导电线构成的导电网格，其中该导电网格的导电线之间距离在10-150微米之间，导电线厚度在0.5-2微米之间，且导电线的宽度在5-15微米之间。

12.如权利要求11所述的晶圆衬底，进一步包括在所述衬底上形成的N型样板层，其中所述导电网格位于样板层上并与样板层形成欧姆接触。

13.如权利要求11所述的晶圆衬底，进一步包括位于所述导电网格上的保护层，其中该保护层由氧化硅、氮化硅或氧化钛构成。

14.如权利要求13所述的晶圆衬底，其中所述保护层包含一对或多对氧化硅/氧化钛层，形成分布布拉格反射器，对可见光的反射率高于95％。

15.如权利要求12所述的晶圆衬底，其中所述导电网格由位于样板层上的导电线构成，或者是由样板层的沟壑中的导电线构成。

16.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格由位于衬底上的导电线构成，或者是由衬底的沟壑中的导电线构成。

17.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格是二维方形网格，或具有一内角为60度的平行四边形网格，或六边形网格，并且均匀分布于整个衬底。

18.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格是由氮化钪(ScN)、氮化钇(YN)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化钽(TaN)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)构成。

19.一种使用权利要求11所述的晶圆衬底的III族氮化物发光器件的晶圆，包括：

在该晶圆衬底上形成的N型层；

在该N型层上形成的激活层；和

在该激活层形成的P型层。