[发明专利]肖特基二极管和其制造方法

权利要求书

1.肖特基二极管(2)，所述肖特基二极管具有第一主面(4)和第二主面(6)以及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，

所述肖特基二极管具有层式构造，所述层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与所述半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，其中，所述边缘面(8)至少在所述肖特基接触(200)的区域内与所述半导体层(12)、所述第一金属层(20)、所述第二金属层(22)以及所述由连接介质(30)制成的层成多于5度地偏离直角的角(80)，并且

所述肖特基二极管具有所述肖特基二极管(2)的边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖所述边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，在所述第一金属层(20)与所述由连接介质(30)制成的层之间还设置有构成迁移屏障的第二金属层(22)。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，所述平面接触体(32)由金属或高掺杂半导体材料制成。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，所述连接介质(30)是一层或多层的其它金属层或导电粘合连接件。

5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，在所述第一和/或第二主面(4，6)上设置有其它金属接触层。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，所述钝化层(60)完全地、从所述第一主面(4)至所述第二主面(6)延伸地覆盖所述边缘面(8)。

7.用于制造至少一个根据前述权利要求之一所述的肖特基二极管(2)的方法，其特征在于下列方法步骤：

·准备高掺杂物浓度的半导体基体(10)，所述半导体基体具有构成第一电接触表面的第一主面(4)；

·在所述半导体基体(10)的与所述第一主面(4)相对设置的面上外延沉积具有相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)；

·在第一金属层(20)与所述半导体层(12)之间构成肖特基接触(200)的情况下在所述半导体层(12)上布置所述第一金属层(20)；

·借助连接介质(30)连接平面接触体(32)与所述第一金属层(20)；

·构成至少一个单个肖特基二极管(2)，其中，构成至少一个肖特基二极管(2)时，至少在所述肖特基接触(200)的区域内边缘面(8)与所述半导体层(12)、所述第一金属层(20)、所述第二金属层(22)以及所述由连接介质(30)制成的层成多于5度地偏离直角的角(80)；

·在所述至少一个肖特基二极管(2)的边缘面(8)内布置钝化层(60)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，以蒸镀法、溅射法或沉积法由液相中施加所述第一金属层(20)和/或在所述第一金属层(20)与所述连接介质(30)之间布置的第二金属层(22)。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述平面接触体(32)与所述第一金属层(20)或所述第二金属层(22)的连接借助粘接法，焊剂焊接法或烧结法来进行。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述至少一个肖特基二极管(2)的构成借助一级或两级锯割法(40，42)进行。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，接着所述锯割法(40，42)，至少在所述至少一个肖特基二极管(2)的所述肖特基接触(200)的区域内所述边缘面(8)经受蚀刻法(50)。

12.根据权利要求7、8、10或11所述的方法，其中，构成多个肖特基二极管(2)时，晶圆布置在载体装置(34)上并且因此构成各个肖特基二极管(2)的松散集合。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，构成多个肖特基二极管(2)时，晶圆布置在载体装置(34)上并且因此构成各个肖特基二极管(2)的松散集合。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在布置所述钝化层(60)之后完全分离所述肖特基二极管(2)。