[发明专利]中温烧结微波介质陶瓷无效
| 申请号： | 201210097380.6 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102617141A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;廖擎玮;任翔;孟庆磊;王洪茹 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 微波 介质 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.一种中温烧结微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为MgTiNb2O8。
其制备步骤如下：
(1)将原料MgO、Nb2O5、TiO2分别按MgTiNb2O8化学式称量配料；
(2)将上述配置好的化学原料混合，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，原料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.2，球磨1～12小时，将球磨后的原料于红外干燥箱中烘干，过筛；
(3)将步骤(2)混合均匀的粉料在780℃煅烧3小时合成熔块；
(4)将步骤(3)熔块中外加质量百分比为0.35～0.75％聚乙烯醇放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4～8小时，烘干后过筛，再用粉末压片机压制成Φ10mm×5mm的圆柱型坯体；
(5)将步骤(4)圆柱型坯体于1100～1200℃烧结2～6小时，制得MgTiNb2O8微波介质陶瓷；
(6)用网络分析仪测试微波介质陶瓷的微波介电性能。
2.根据权利要求1的中温烧结微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的原料为纯度大于99.9％的分析纯原料。
3.根据权利要求1的中温烧结微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(2)的球磨后的原料于红外干燥箱中100～120℃烘干。
4.根据权利要求1的中温烧结微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的坯体为Φ10mm×5mm的圆柱型坯体，压片机的表压力为6～10MPa。
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