[发明专利]光电二极管、光感测组件及光电二极管的制造方法

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包含：

一基板；

一下电极，配置于该基板上；

一N型半导体层，配置于该下电极上，其中该N型半导体层包含N型非晶型铟镓锌氧化物；

一本质半导体层，配置于该N型半导体层上，其中该本质半导体层包含本质非晶型铟镓锌氧化物，且该本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于该N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量；以及

一上电极，配置于该本质半导体层上。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，还包含一P型半导体层，配置于该本质半导体层与该上电极之间，其中该P型半导体层的材料为铝氮锌氧化物、铝锌氧化物、锂锌氧化物、砷锌氧化物或锑锌氧化物。

3.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，该P型半导体层的厚度为300-

4.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该N型半导体层的厚度为300-该本质半导体层的厚度为1-5μm。

5.一种光感测组件，其特征在于，包含：

一薄膜晶体管设置于一基板上，包含：

一栅极，设置于该基板上；

一栅介电层，覆盖该栅极与该基板；

一半导体通道层，设置在该栅极正上方的该栅介电层上；

一源极与一漏极，分别设置于该半导体通道层两端上；以及一光电二极管，配置在该漏极上，包含：

一N型半导体层，配置于该漏极上，且该N型半导体层包括N型非晶型铟镓锌氧化物；

一本质半导体层，配置于该N型半导体层上，其中该本质半导体层包括本质非晶型铟镓锌氧化物，且该本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于该N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量；以及

一上电极，配置于该本质半导体上。

6.根据权利要求5所述的光感测组件，其特征在于，该光电二极管还包含一P型半导体层配置于该本质半导体层及该上电极之间，该P型半导体层的材料为铝氮锌氧化物、铝锌氧化物、锂锌氧化物、砷锌氧化物或锑锌氧化物。

7.根据权利要求5所述的光感测组件，其特征在于，还包含：

一保护层，覆盖该源极/漏极上和该半导体通道层上，但暴露该光电二极管；以及

一导电层，配置在该保护层上，且连接该光电二极管。

8.一种如权利要求1的光电二极管的制造方法，其特征在于，包含：

提供一溅镀靶材混合物，其包含铟氧化物、镓氧化物与锌氧化物；以及

在含有氧气与氩气的气体环境进行一连续溅镀制程，以于该下电极上连续形成该N型半导体层与该本质半导体层，其中溅镀该N型半导体层时的该氧气/氩气的流量比例低于溅镀该本质半导体层时的该氧气/氩气的流量比例。

9.根据权利要求8所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，溅镀该N型半导体层时的该氧气/氩气的流量比例为0％-15％。

10.根据权利要求8所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，溅镀该本质半导体层时的该氧气/氩气的流量比例为2％-70％。