[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201210096255.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102776556A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;万跃鹏;胡动力;张涛;钟德京;何亮;张学日;董一迪 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：
在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；
待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；
待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述调整热场使第一结晶阶段停止的操作为，调节温度，控制热场温度为1460～1480℃。
3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述调整热场形成过冷状态的操作为，调节温度，控制热场的温度为1360～1380℃。
4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述后续结晶阶段包括多次重复的再形核结晶过程。
5.如权利要求4所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述再形核结晶过程为在所述过冷状态下，在所述后续结晶阶段的前一次再形核结晶过程形成的晶体上形核结晶。
6.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述在后续结晶阶段的前一次再形核结晶过程形成的晶体上形核结晶时，先形成一层微晶层。
7.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述再形核结晶过程在所述后续结晶阶段的前一次再形核结晶过程形成的晶体质量开始降低的高度或位置处开始进行。
8.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述坩埚为内壁涂有氮化硅涂层的坩埚。
9.一种多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭按照如权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到。
10.一种多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片由权利要求9所述的多晶硅锭经开方-切片-清洗制备得到。
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