[发明专利]半导体器件、鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

形成覆盖所述半导体衬底表面的硬掩膜薄膜；

形成位于所述硬掩膜薄膜表面的凸起的支撑部；

形成位于所述支撑部侧壁的侧墙；

去除所述支撑部，并以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜薄膜形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成步骤包括：形成覆盖所述硬掩膜薄膜、支撑部的顶部和侧壁的侧墙薄膜；刻蚀所述侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和支撑部的顶部。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和支撑部的顶部的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅、氧化硅或磷硅玻璃。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为10-40nm。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的形成工艺为：采用各向同性的干法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩膜薄膜。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的形成工艺为：采用HF和水的体积比为1∶80～1∶120的氢氟酸刻蚀所述硬掩膜薄膜。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述侧墙和硬掩膜层，暴露出所述鳍部的顶部。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅、氧化硅或磷硅玻璃。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述支撑部的材料为氮化硅、氧化硅或磷硅玻璃。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为单晶硅或锗绝缘体上硅。

12.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供采用如权利要求1-11中任一项所述的方法形成的半导体器件；

形成栅极结构，所述栅极结构位于所述半导体器件的半导体衬底上，且横跨所述鳍部的顶部和侧壁；

以所述栅极结构为掩膜，向所述鳍部掺杂形成源/漏极。

13.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

形成覆盖所述半导体衬底表面的硬掩膜薄膜；

形成位于所述硬掩膜薄膜表面的凸起的支撑部；

形成位于所述支撑部侧壁的第一侧墙；

去除所述支撑部，并形成位于所述第一侧墙的侧壁的第二侧墙；

去除所述第一侧墙，并以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜薄膜形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部。

14.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成步骤包括：形成覆盖所述硬掩膜薄膜、支撑部的顶部和侧壁的第一侧墙薄膜；刻蚀所述第一侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和支撑部的顶部。

15.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和支撑部的顶部的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

16.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氮化硅、氧化硅或磷硅玻璃，所述第一侧墙的厚度为10-40nm。

17.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成步骤包括：形成覆盖所述第一侧墙的顶部和侧壁、半导体衬底的第二侧墙薄膜；刻蚀所述第二侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和第一侧墙的顶部。

18.如权利要求17所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二侧墙薄膜直至暴露出硬掩膜薄膜和第一侧墙的顶部的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。