[发明专利]调整方法和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对基板进行规定的处理的多个处理室的内部的调整方法和基板处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片实施成膜或蚀刻等规定的处理。另外，FPD(Flat Panel Display：平板显示器)的制造过程中，对FPD用的玻璃基板实施成膜或蚀刻等规定的处理。这些处理使用具备多个对基板进行规定的处理的处理室的多腔室型的基板处理装置。通过使用该基板处理装置，能够在始终如一的气氛中对基板进行多个处理。

但是，在半导体器件和FPD的制造过程中，有时在基板处理装置中连续进行种类不同的多个工序。一系列的工序能够通过组合条件不同的多个处理室进行。例如，通过将在规定的条件下进行基板的处理的处理室和在与该处理室不同的条件下进行基板的处理其他的处理室组合，能够连续进行种类不同的两个工序。

在专利文献1记载有在接触孔内形成作为接触层的Ti膜和作为屏蔽层的TiN膜的技术。在专利文献1中，为了形成这些膜，使用具备利用化学气相沉积法(CVD法)成膜Ti膜的两个Ti成膜装置和利用CVD法成膜TiN膜的两个TiN成膜装置的多腔室型的成膜系统。Ti膜的成膜，将晶片搬入Ti成膜装置来进行。TiN膜的成膜，将成膜过Ti膜之后的晶片继续装入TiN成膜装置来进行。

现有技术文献

专利文献1：特开2003-221671号公报

发明内容

发明要解决的问题

在进行成膜或蚀刻等的处理的处理室的内壁和部件上，每当重复进行处理时，会附着堆积反应生成物。这样的附着物，当剥离时成为颗粒而附着于基板，成为使产品质量降低的原因。

为了除去了上述的附着物，需要对处理室的内部进行清洁。进行成膜处理的处理室的清洁，例如通过在将处理室内的温度保持为规定的温度之后，向处理室内供给ClF₃气体、NF₃气体、Cl₂气体等的清洁气体来进行。另外，在实施过清洁之后，为了使在后续工艺的第一个晶片和第二个以后的晶片的处理条件一致，进行使薄膜在处理室内堆积的预敷处理。将包含这样的清洁和预敷，修整处理室内的环境的处理称为调整。通过定期进行这样的调整，能够防止颗粒的产生。进行调整的周期根据成膜条件和蚀刻条件而变化。

在具备多个处理室的多腔室型的基板处理装置中，在各处理室中，在各自的定时进行调整。各处理室中进行调整的定时并不必一致。特别是，通过组合成膜条件不同的多个处理室，连续进行种类不同的多个成膜工序时，每个处理室进行调整的周期不同，因此在各处理室中进行调整的定时并不一致。在连续进行种类不同的多个成膜工序的情况下，当处理室中进行调整的定时不一致时，产生以下那样的问题。在该情况下，在先进行成膜处理的处理室(以下称为在先处理室。)中进行调整的期间，在后进行成膜处理的处理室(以下称为在后处理室。)中，不从在先处理室搬入基板，因此不能进行基板的成膜处理。另外，在后处理室中进行调整的期间，在先处理室中不能向在后处理室输送基板，因此不能进行下一个基板的成膜处理。

这样，当多个处理室中的任一的处理室中进行调整时，在与进行调整的处理室有关的其他的处理室中，不能进行基板的成膜处理。因此，各处理室的生产率(在单位时间内能够处理的基板的个数)，除了降低在该处理室中的调整所需要的时间对应的量之外，而且还降低在其他的处理室中的调整所需要的时间对应的量。其结果，基板处理装置整体的生产率降低。

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于，提供一种调整方法和基板处理装置，在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中，周期地调整处理室的内部，能够提高基板处理装置的生产率。

用于解决课题的方法

本发明的调整方法是在具有对基板进行规定的处理的多个处理室的基板处理装置中调整上述处理室的内部的方法。在本发明的调整方法中，上述多个处理室包含组合对基板进行一系列的工序的第一处理室和第二处理室，在上述第一处理室中，当与基板的处理相关联设定的第一累计值达到设定值N1时，实施调整。

本发明的调整方法，当由于上述第一处理室的调整的开始而中断上述一系列的工序时，上述第二处理室成为待机状态，并且以至少在上述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在上述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施上述第二处理室的调整。