[发明专利]不规则加热器及其加热方法

权利要求书

1.不规则加热器，其包括加热器本体，所述加热器本体为具有依次首尾相接的第一边、第二边、第三边、第四边以及第五边的五边形结构，其特征在于，所述不规则加热器还包括：

第一导电条、第二导电条、第三导电条；

从所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条分别引出的第一电极、第二电极、第三电极；以及

用于驱动所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极通有电流的驱动电路；

其中，所述第一边、所述第三边以及所述第四边上分别固定所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条，且所述第四边上的第三导电条设置在所述第四边靠近所述第五边的一端。

2.如权利要求1所述的不规则加热器，其特征在于，所述驱动电路包括：

控制单元，包括第一电极控制端、第二电极控制端、接地控制端以及若干A/D接口；

加热电源；

硬件保护MOS管T3，所述硬件保护MOS管T3的源极连接于所述加热电源；

P沟道MOS管T1，所述P沟道MOS管T1的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T1的漏极连接于第一电极，所述P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至所述P沟道MOS管T1的源极；

第一光电耦合器，所述第一光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第一光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于电源，所述第一光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第一光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R3连接至所述P沟道MOS管T1的栅极；

N沟道MOS管T2，所述N沟道MOS管T2的漏极连接于所述第一电极，所述N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极；

第二光电耦合器，所述第二光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第二光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于电源，所述第二光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第二光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R5连接至所述P沟道MOS管T1的源极，所述第二光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极，所述第二光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6；

P沟道MOS管T5，所述P沟道MOS管T5的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极，所述P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至所述P沟道MOS管T5的源极；

第三光电耦合器，所述第三光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第三光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于电源，所述第三光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第三光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R9连接至所述P沟道MOS管T5的栅极；

N沟道MOS管T6，所述N沟道MOS管T6的漏极连接于所述第二电极，所述N沟道MOS管T6的源极连接于第三电极；

第四光电耦合器，所述第四光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第四光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于电源，所述第四光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第四光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R11连接至所述P沟道MOS管T5的源极，所述第四光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T6的栅极，所述第四光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12；

接地总开关MOS管T4，所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于所述N沟道MOS管T6的源极，所述接地总开关MOS管T4的源极接地；

第五光电耦合器，所述第五光电耦合器的输入端连接于所述接地控制端，所述第五光电耦合器的输出端连接于所述接地总开关MOS管T4的栅极；

若干温度传感器，所述若干温度传感器分别连接于所述若干A/D接口，用于将采集到的温度传递至所述控制单元；

逻辑电路，所述逻辑电路用于根据所述若干温度传感器采集到的温度控制所述硬件保护MOS管T3的开启与通断，所述逻辑电路的输入端连接于所述控制单元，所述逻辑电路的输出端连接于所述硬件保护MOS管T3的栅极。

3.如权利要求2所述的不规则加热器，其特征在于，所述若干温度传感器为三个第一热敏电阻、第二热敏电阻以及第三热敏电阻，所述第一热敏电阻设置在所述第五边的中部，所述第二热敏电阻设置在所述第二边中部，所述第三热敏电阻设置在所述第四边中部。