[发明专利]多晶硅制造用石墨夹头再利用方法无效
| 申请号: | 201210088804.2 | 申请日: | 2012-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN103303925A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 金钟济 | 申请(专利权)人: | 阿波罗科技有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 制造 石墨 夹头 再利用 方法 | ||
1.一种多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,该方法包括:
1)从硅锭分离在石墨夹头表面上附着有多晶硅的石墨夹头-多晶硅末端的步骤;以及
2)将上述石墨夹头-多晶硅末端投入到分离液中进行反应的步骤。
2.根据权利要求1所述的多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,
上述分离液为碱性分离液。
3.根据权利要求1所述的多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,
上述2)步骤是在将上述分离液的温度维持在60℃~70℃的状态下进行的。
4.根据权利要求1所述的多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,
在上述2)步骤中,使上述分离液流入到形成在上述石墨夹头与上述多晶硅之间的毛细管来进行反应。
5.根据权利要求1所述的多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,
在进行上述2)步骤之后,进一步进行去除上述石墨夹头表面上的杂质并进行涂覆的表面处理步骤。
6.根据权利要求5所述的多晶硅制造用石墨夹头再利用方法,其特征在于,
在上述表面处理步骤中,在上述石墨夹头表面上形成防止氢渗透的涂层。
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