[发明专利]判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序有效
申请号: | 201210086331.2 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102709208A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 田中圭介;泽井和夫;长畑寿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 判定 方法 控制 装置 图案 形成 系统 程序 | ||
1.一种判定方法,其在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时,对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定,用以提高该图案的面内均一性,该判定方法的特征在于,包括:
测定工序,对所述图案的形状或尺寸进行测定;和
判定工序,根据所测定的所述图案的形状或尺寸,对所述聚焦环的更换时期进行判定。
2.如权利要求1所述的判定方法,其特征在于:
所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸,
所述判定工序,当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时,判定为所述聚焦环的更换时期。
3.如权利要求2所述的判定方法,其特征在于:
与所述图案的形状相关的数据包括该图案的侧壁角度,
与所述图案的尺寸相关的数据包括该图案中的线宽或线高。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的判定方法,其特征在于:
所述聚焦环为在多种蚀刻处理中使用的部件。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的判定方法,其特征在于:
所述测定工序通过散射测量法测定所述图案的形状或尺寸。
6.一种控制方法,其特征在于:
在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时,对配置在该基板的周围的聚焦环的温度进行控制,用以提高该图案的面内均一性,包括:
设定工序,对所述聚焦环的温度进行设定;
测定工序,对所述图案的形状或尺寸进行测定;和
控制工序,根据所测定的所述图案的形状或尺寸,对在所述设定工序设定的聚焦环的温度进行反馈控制。
7.如权利要求6所述的控制方法,其特征在于:
所述测定工序对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行测定,
所述控制工序,当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时,对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
8.一种判定装置,其特征在于:
在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时,对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定,用以提高该图案的面内均一性,包括:
测定单元,对所述图案的形状或尺寸进行测定;和
判定单元,根据该测定单元所测定的所述图案的形状或尺寸,对所述聚焦环的更换时期进行判定。
9.如权利要求8所述的判定装置,其特征在于:
所述测定单元对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行测定,
所述判定单元,当与所述测定单元所测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时,判定为所述聚焦环的更换时期。
10.一种图案形成系统,其特征在于:包括图案形成装置和测定装置,其中,
所述图案形成装置具有:
形成单元,对基板上的膜进行蚀刻来形成图案;
聚焦环,用以提高该形成单元所形成的图案的面内均一性而配置在所述基板的周围;和
控制单元,对该聚焦环的温度进行控制,
所述测定装置具有:
测定单元,对所述图案的形状或尺寸进行测定;和
授予单元,将基于该测定单元所测定的图案的形状或尺寸的信息授予所述图案形成装置,
所述图案形成装置在具有接受所述授予单元所授予的所述信息的接受单元的图案形成系统中,
使所述控制单元根据所述接受单元所接受的所述信息对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
11.如权利要求10所述的图案形成系统,其特征在于:
所述测定单元对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行测定,
所述授予单元,当与所述测定单元所测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时,将与该偏差相关的信息提供给所述图案形成装置,
所述接受单元接受与所述偏差相关的信息,
所述控制单元,根据所述接受单元所接受的与所述偏差相关的信息,对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
12.如权利要求10或11所述的图案形成系统,其特征在于:
所述图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。
13.一种程序,其特征在于:使判定在对基板上的膜进行蚀刻来形成图案时,用于提高该图案的面内均一性而配置于该基板周围的聚焦环的更换时期的处理在计算机上执行,所述处理如下所述:
从存储有所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸,
计算出所读取的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差,
当计算出的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时,判定为所述聚焦环的更换时期。
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